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Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> PBF493SRLRE
PBF493SRLRE PDF预览

PBF493SRLRE

更新时间： 2024-10-30 13:12:11
品牌 Logo 应用领域
摩托罗拉 - MOTOROLA 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
4页 127K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 300V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92

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PBF493SRLRE 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：CYLINDRICAL, O-PBCY-T3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.21.00.95风险等级：5.84
Is Samacsys：N其他特性：TELECOM TRANSISTOR
最大集电极电流 (IC)：0.5 A基于收集器的最大容量：6 pF
集电极-发射极最大电压：300 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：25JEDEC-95代码：TO-92
JESD-30 代码：O-PBCY-T3元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：ROUND
封装形式：CYLINDRICAL极性/信道类型：PNP
功耗环境最大值：1.5 W认证状态：Not Qualified
表面贴装：NO端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：BOTTOM晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：50 MHzVCEsat-Max：0.5 V
Base Number Matches：1

PBF493SRLRE 数据手册

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by PBF493/D  
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA  
PNP Silicon  
COLLECTOR  
3
2
BASE  
1
EMITTER  
1
MAXIMUM RATINGS  
2
3
Rating  
Collector–Emitter Voltage  
Collector–Base Voltage  
Emitter–Base Voltage  
Symbol  
Value  
Unit  
Vdc  
CASE 29–04, STYLE 1  
TO–92 (TO–226AA)  
V
CEO  
V
CBO  
V
EBO  
–300  
–300  
–5.0  
Vdc  
Vdc  
Collector Current — Continuous  
I
C
–500  
mAdc  
Total Device Dissipation @ T = 25°C  
Derate above 25°C  
P
D
625  
5.0  
mW  
mW/°C  
A
Total Device Dissipation @ T = 25°C  
Derate above 25°C  
P
D
1.5  
12  
Watts  
mW/°C  
C
Operating and Storage Junction  
Temperature Range  
T , T  
–55 to +150  
°C  
J
stg  
THERMAL CHARACTERISTICS  
Characteristic  
Symbol  
Max  
200  
Unit  
°C/W  
°C/W  
Thermal Resistance, Junction to Ambient  
Thermal Resistance, Junction to Case  
R
R
JA  
JC  
83.3  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T = 25°C unless otherwise noted)  
A
Characteristic  
Symbol  
Min  
Max  
Unit  
OFF CHARACTERISTICS  
(1)  
Collector–Emitter Breakdown Voltage  
(I = –1.0 mAdc, I = 0)  
V
V
–300  
–300  
–5.0  
—
—
—
Vdc  
Vdc  
(BR)CEO  
C
B
Collector–Base Breakdown Voltage  
(I = –10 Adc, I = 0)  
(BR)CBO  
C
E
Emitter–Base Breakdown Voltage  
(I = –100 Adc, I = 0)  
V
—
Vdc  
(BR)EBO  
E
C
Collector Cutoff Current  
(V = –200 Vdc, I = 0)  
I
–0.25  
–20  
–250  
µAdc  
nAdc  
nAdc  
CBO  
CB  
Emitter Cutoff Current  
(V = –3.0 Vdc)  
E
I
—
EBO  
EB  
Collector Cutoff Current  
(V = –10 Vdc)  
I
—
CEO  
CE  
1. Pulse Test: Pulse Width  
300 s; Duty Cycle  
2.0%.  
Motorola, Inc. 1996
1234

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
PBF493SRLRF MOTOROLA

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 300V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92
PBF493SRLRM MOTOROLA

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 300V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92
PBF493SRLRP MOTOROLA

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 300V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92
PBF493ZL1 MOTOROLA

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 		500mA, 300V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
PBF550004 DIODES

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 		Oscillator, 38.88MHz Min, 162MHz Max, 155.52MHz Nom,
PBF550007 DIODES

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