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PB36

更新时间: 2024-11-20 17:36:43
品牌 Logo 应用领域
美台 - DIODES 局域网二极管
页数 文件大小 规格书
1页 115K
描述
Bridge Rectifier Diode, 1 Phase, 3A, 600V V(RRM), Silicon

PB36 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
包装说明:S-PUFM-W4Reach Compliance Code:unknown
HTS代码:8541.10.00.80风险等级:5.24
最小击穿电压:600 V外壳连接:ISOLATED
配置:BRIDGE, 4 ELEMENTS二极管元件材料:SILICON
二极管类型:BRIDGE RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF):1 V
JESD-30 代码:S-PUFM-W4JESD-609代码:e0
最大非重复峰值正向电流:50 A元件数量:4
相数:1端子数量:4
最高工作温度:150 °C最低工作温度:-65 °C
最大输出电流:3 A封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:SQUARE封装形式:FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED认证状态:Not Qualified
最大重复峰值反向电压:600 V最大反向电流:0.00001 µA
子类别:Bridge Rectifier Diodes表面贴装:NO
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:WIRE
端子位置:UPPER处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
Base Number Matches:1

PB36 数据手册

  

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