5秒后页面跳转
| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | DISK BUTTON, O-CEDB-N2 |
| Reach Compliance Code： | unknown | HTS代码： | 8541.30.00.80 |
| 风险等级： | 5.84 | Is Samacsys： | N |
| 其他特性： | HIGH RELIABILITY | 配置： | SINGLE |
| 最大直流栅极触发电流： | 300 mA | JESD-30 代码： | O-CEDB-N2 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 封装主体材料： | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | DISK BUTTON | 认证状态： | Not Qualified |
| 最大均方根通态电流： | 3885 A | 断态重复峰值电压： | 2800 V |
| 重复峰值反向电压： | 2800 V | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | NO LEAD | 端子位置： | END |
| 触发设备类型： | SCR | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| P880CH28E4D | IXYS |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 3885A I(T)RMS, 2800V V(DRM), 2800V V(RRM), 1 Element |
|
| P880CH28E4DO | IXYS |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 3885A I(T)RMS, 2800V V(DRM), 2800V V(RRM), 1 Element |
|
| P880CH28E5D | IXYS |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 3885A I(T)RMS, 2800V V(DRM), 2800V V(RRM), 1 Element |
|
| P880CH28E5DO | IXYS |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 3885A I(T)RMS, 2800V V(DRM), 2800V V(RRM), 1 Element |
|
| P880CH28F4D | IXYS |
获取价格 |
暂无描述 |
|
| P880CH28F5D | IXYS |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 3885 A, 2800 V, SCR |
|
| P880CH28F5DO | IXYS |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 3885A I(T)RMS, 2800V V(DRM), 2800V V(RRM), 1 Element |
|
| P880CH30C4D | IXYS |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 3885A I(T)RMS, 3000V V(DRM), 3000V V(RRM), 1 Element |
|
| P880CH30C4DO | IXYS |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 3885A I(T)RMS, 3000V V(DRM), 3000V V(RRM), 1 Element |
|
| P880CH30C5DO | IXYS |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 3885A I(T)RMS, 3000V V(DRM), 3000V V(RRM), 1 Element |
|
三星深化印度制造布局，供应链本地化进程加速
芯擎科技“星辰一号”自动驾驶芯片点亮成功，2025年量产在即
纳微科技震撼发布GaNSlim革新氮化镓功率芯片
意法半导体发布第四代SiC技术，助力电动汽车电驱
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
