5秒后页面跳转
| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | DISK BUTTON, O-CEDB-N2 |
| Reach Compliance Code： | unknown | HTS代码： | 8541.30.00.80 |
| 风险等级： | 5.84 | 其他特性： | HIGH RELIABILITY |
| 配置： | SINGLE | 最大直流栅极触发电流： | 300 mA |
| JESD-30 代码： | O-CEDB-N2 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 封装主体材料： | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | DISK BUTTON |
| 认证状态： | Not Qualified | 最大均方根通态电流： | 3885 A |
| 断态重复峰值电压： | 3000 V | 重复峰值反向电压： | 3000 V |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | NO LEAD |
| 端子位置： | END | 触发设备类型： | SCR |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| P880CH30D4D | IXYS |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 3885A I(T)RMS, 3000V V(DRM), 3000V V(RRM), 1 Element |
|
| P880CH30E5D | IXYS |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 3885A I(T)RMS, 3000V V(DRM), 3000V V(RRM), 1 Element |
|
| P880CH30E5DO | IXYS |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 3885 A, 3000 V, SCR |
|
| P880CH30F4D | IXYS |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 3885A I(T)RMS, 3000V V(DRM), 3000V V(RRM), 1 Element |
|
| P880CH30F4DO | IXYS |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 3885A I(T)RMS, 3000V V(DRM), 3000V V(RRM), 1 Element |
|
| P880CH30F5D | IXYS |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 3885 A, 3000 V, SCR |
|
| P880CH32C4D | IXYS |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 3885A I(T)RMS, 3200V V(DRM), 3200V V(RRM), 1 Element |
|
| P880CH32C4DO | IXYS |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 3885 A, 3200 V, SCR |
|
| P880CH32C5D | IXYS |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 3885A I(T)RMS, 3200V V(DRM), 3200V V(RRM), 1 Element |
|
| P880CH32C5DO | IXYS |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 3885A I(T)RMS, 3200V V(DRM), 3200V V(RRM), 1 Element |
|
三星深化印度制造布局，供应链本地化进程加速
芯擎科技“星辰一号”自动驾驶芯片点亮成功，2025年量产在即
纳微科技震撼发布GaNSlim革新氮化镓功率芯片
意法半导体发布第四代SiC技术，助力电动汽车电驱
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
