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P6SMBJ530 PDF预览

P6SMBJ530

更新时间： 2024-11-13 13:12:11
品牌 Logo 应用领域
力特 - LITTELFUSE 瞬态抑制器二极管光电二极管局域网
页数 文件大小 规格书
4页 198K
描述
Trans Voltage Suppressor Diode, 600W, 477V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO-214AA, ROHS COMPLIANT, PLASTIC SMBJ, 2 PIN

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P6SMBJ530 技术参数

是否Rohs认证：符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：DO-214AA包装说明：ROHS COMPLIANT, PLASTIC SMBJ, 2 PIN
针数：2Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.50
风险等级：5.79Is Samacsys：N
其他特性：EXCELLENT CLAMPING CAPABILITY, UL RECOGNIZED最大击穿电压：583 V
最小击穿电压：477 V击穿电压标称值：530 V
最大钳位电压：725 V配置：SINGLE
二极管元件材料：SILICON二极管类型：TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JEDEC-95代码：DO-214AAJESD-30 代码：R-PDSO-C2
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：2
最大非重复峰值反向功率耗散：600 W元件数量：1
端子数量：2封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性：UNIDIRECTIONAL
认证状态：Not Qualified最大重复峰值反向电压：477 V
子类别：Transient Suppressors表面贴装：YES
技术：AVALANCHE端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：C BEND端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：30Base Number Matches：1

P6SMBJ530 数据手册

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Silicon Avalanche Diodes  
600W Surface Mount Transient Voltage Supressors  
®
P6SMBJ Series  
FEATURES  
• For surface mounted applications in order to optimize  
board space  
• Low profile package  
• Built-in strain relief  
• Glass passivated junction  
• Low inductance  
• Excellent clamping capability  
• Repetition Rate (duty cycle): 0.01%  
• Fast response time: typically less than 1.0ps from 0 Volts to  
BV for unidirectional types  
• Typical IR less than 1 mA above 10V  
• High Temperature soldering: 250˚C/10 seconds at terminals  
MAXIMUM RATINGS @25˚C AMBIENT TEMPERATURE  
AND CHARACTERISTICS (unless otherwise noted)  
• Plastic packages has Underwriters Laboratory  
Flammability 94V-O  
MECHANICAL CHARACTERISTICS  
PARAMETER  
VALUE  
SYMBOL  
UNIT  
• Case:JEDEC DO214AA. Molded plastic over glass passivated  
junction  
Peak pulse power Dissipation on  
10/1000µs waveform  
Min  
600  
P
Watts  
PPM  
(note 1,2, FIG.1)  
• Terminal: Solder plated, solderable per MIL-STD-750  
Method 2026  
Peak pulse current of on 10\1000µs  
waveform (note 1, FIG.3)  
I
PPM  
Amps  
Amps  
SEE TABLE 1  
100  
• Polarity. Color band denotes positive end(cathode) except  
Bidirectional  
Peak forward Surge Current, 8.3ms  
Single Half SIne Wave Superimposed  
on Rated Load, (JEDEC Method)  
(note 2.3)  
I
PSM  
• Standard Packaging: 12mm tape(EIA STF RS-481)  
• Weight: 0.003 ounce, 0.093 gram  
-55 to +150  
-55 to +150  
Operating junction and Storage  
Temperature Range  
T
T
°C  
DEVICES FOR BIPOLAR APPLICATIONS  
For Bidirectional use C or CA Suffix for types SMBJ5.0 thru types  
SMBJ110(e.g. SMBJ5.OC, SMBJ170CA)  
j, sTG  
Note 1. Non-repetitive current pulse, per Fig.3 and derated above  
T = 25˚C per Fig.2  
Note 2. Mounted on 5.0mm (0.03mm thick) Copper Pads to each  
Electrical characteristics apply in both directions  
A
2
Agency Approvals: Recognized under the Components Program  
of Underwriters Laboratories.  
terminal  
Note 3. 8.3 ms single half sine-wave, or equivalent square wave,  
Duty cycle= 4 pulses per minute  
Agency File Number: E128662  
ORDERING INFORMATION  
C A  
P6SMBJ  
Voltage  
Bi-Directional  
5% Voltage Tolerance  
6
w w w. l i t t e l f u s e . c o m  
1234

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P6SMBJ530 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
P6SMB530 LITTELFUSE

完全替代

 P6SMB系列专门设计用于保护敏感电子设备不受闪电及其他瞬态电压现象引起的瞬态电压的影响。

与P6SMBJ530相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
P6SMBJ530A THINKISEMI

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 		SURFACE MOUNT TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
P6SMBJ530A LITTELFUSE

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 		Silicon Avalanche Diodes - 600W Surface Mount Transient Voltage Supressors
P6SMBJ530A MCC

获取价格

 		Trans Voltage Suppressor Diode, 600W, 477V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO-
P6SMBJ530AP MCC

获取价格

 		DIODE 600 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA, SMBJ, 2 PIN, Transient Suppress
P6SMBJ530CA LITTELFUSE

获取价格

 		Silicon Avalanche Diodes - 600W Surface Mount Transient Voltage Supressors
P6SMBJ530CA THINKISEMI

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 		SURFACE MOUNT TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
P6SMBJ530CA MCC

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P6SMBJ54 YEASHIN

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P6SMBJ54 CHENG-YI

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P6SMBJ54 WTE

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 		600W SURFACE MOUNT TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSORS

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