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P6KE8.2C-B

更新时间: 2024-11-12 19:53:59
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美台 - DIODES 局域网二极管
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1页 71K
描述
Trans Voltage Suppressor Diode, 600W, Bidirectional, 1 Element, Silicon

P6KE8.2C-B 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:O-LALF-W2
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.50风险等级:5.06
其他特性:TEMPERATURE COEFFICIENT IS DERIVED FROM MINIMUM BREAK-DOWN VOLTAGE最小击穿电压:7.38 V
外壳连接:ISOLATED最大钳位电压:12.5 V
配置:SINGLE二极管元件材料:SILICON
二极管类型:TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODEJESD-30 代码:O-LALF-W2
最大非重复峰值反向功率耗散:600 W元件数量:1
端子数量:2最高工作温度:175 °C
最低工作温度:-55 °C封装主体材料:GLASS
封装形状:ROUND封装形式:LONG FORM
极性:BIDIRECTIONAL认证状态:Not Qualified
最大反向电流:400 µA表面贴装:NO
技术:AVALANCHE端子形式:WIRE
端子位置:AXIALBase Number Matches:1

P6KE8.2C-B 数据手册

  

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