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P6KE6.8A-B

更新时间: 2024-11-04 19:53:59
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美台 - DIODES 局域网二极管
页数 文件大小 规格书
1页 71K
描述
Trans Voltage Suppressor Diode, 600W, Unidirectional, 1 Element, Silicon

P6KE6.8A-B 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Obsolete包装说明:O-LALF-W2
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.50风险等级:5.06
Is Samacsys:N其他特性:TEMPERATURE COEFFICIENT IS DERIVED FROM MINIMUM BREAK-DOWN VOLTAGE
最小击穿电压:6.45 V外壳连接:ISOLATED
最大钳位电压:10.5 V配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON二极管类型:TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JESD-30 代码:O-LALF-W2JESD-609代码:e3
湿度敏感等级:1最大非重复峰值反向功率耗散:600 W
元件数量:1端子数量:2
最高工作温度:175 °C最低工作温度:-55 °C
封装主体材料:GLASS封装形状:ROUND
封装形式:LONG FORM峰值回流温度(摄氏度):260
极性:UNIDIRECTIONAL认证状态:Not Qualified
最大反向电流:1000 µA表面贴装:NO
技术:AVALANCHE端子面层:MATTE TIN
端子形式:WIRE端子位置:AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间:40Base Number Matches:1

P6KE6.8A-B 数据手册

  

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