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P6KE6.8ACOX.200

更新时间: 2024-11-04 14:28:15
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美高森美 - MICROSEMI 局域网二极管
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2页 77K
描述
Trans Voltage Suppressor Diode, 600W, 5.8V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon

P6KE6.8ACOX.200 技术参数

生命周期:Transferred包装说明:O-MEDB-N2
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.50风险等级:5.46
Is Samacsys:N击穿电压标称值:6.8 V
最大钳位电压:10.5 V配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON二极管类型:TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JESD-30 代码:O-MEDB-N2最大非重复峰值反向功率耗散:600 W
元件数量:1端子数量:2
最高工作温度:175 °C最低工作温度:-65 °C
封装主体材料:METAL封装形状:ROUND
封装形式:DISK BUTTON极性:UNIDIRECTIONAL
认证状态:Not Qualified最大重复峰值反向电压:5.8 V
最大反向电流:1000 µA表面贴装:YES
技术:AVALANCHE端子形式:NO LEAD
端子位置:ENDBase Number Matches:1

P6KE6.8ACOX.200 数据手册

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