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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | DIP |
| 包装说明： | DIP, DIP20,.3 | 针数： | 20 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | 3A001.A.2.C |
| HTS代码： | 8542.32.00.41 | 风险等级： | 5.07 |
| 最长访问时间： | 35 ns | I/O 类型： | COMMON |
| JESD-30 代码： | R-CDIP-T20 | JESD-609代码： | e0 |
| 内存密度： | 16384 bit | 内存集成电路类型： | STANDARD SRAM |
| 内存宽度： | 4 | 功能数量： | 1 |
| 端子数量： | 20 | 字数： | 4096 words |
| 字数代码： | 4000 | 工作模式： | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度： | 125 °C | 最低工作温度： | -55 °C |
| 组织： | 4KX4 | 输出特性： | 3-STATE |
| 封装主体材料： | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED | 封装代码： | DIP |
| 封装等效代码： | DIP20,.3 | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | IN-LINE | 并行/串行： | PARALLEL |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 电源： | 5 V |
| 认证状态： | Not Qualified | 座面最大高度： | 5.08 mm |
| 最小待机电流： | 4.5 V | 子类别： | SRAMs |
| 最大压摆率： | 0.13 mA | 最大供电电压 (Vsup)： | 5.5 V |
| 最小供电电压 (Vsup)： | 4.5 V | 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V |
| 表面贴装： | NO | 技术： | CMOS |
| 温度等级： | MILITARY | 端子面层： | TIN LEAD |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子节距： | 2.54 mm |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 宽度： | 7.62 mm | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| P4C16835DMB | ETC |
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ULTRA HIGH SPEED 4K x 4 STATIC CMOS RAMS |
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| P4C168-35DMB | PYRAMID |
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Standard SRAM, 4KX4, 35ns, CMOS, CDIP20, 0.300 INCH, CERAMCI, DIP-20 |
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| P4C168-35FC | PYRAMID |
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ULTRA HIGH SPEED 4K x 4 STATIC CMOS RAMS |
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| P4C168-35FM | PYRAMID |
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ULTRA HIGH SPEED 4K x 4 STATIC CMOS RAMS |
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| P4C168-35FMB | PYRAMID |
获取价格 |
Standard SRAM, 4KX4, 35ns, CMOS, CDFP20, CERAMIC, PACKAGE-20 |
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| P4C168-35FSC | PYRAMID |
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ULTRA HIGH SPEED 4K x 4 STATIC CMOS RAMS |
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| P4C168-35FSM | PYRAMID |
获取价格 |
ULTRA HIGH SPEED 4K x 4 STATIC CMOS RAMS |
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| P4C168-35FSMB | PYRAMID |
获取价格 |
Standard SRAM, 4KX4, 35ns, CMOS, PDFP20, DFP-20 |
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| P4C16835JC | ETC |
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ULTRA HIGH SPEED 4K x 4 STATIC CMOS RAMS |
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| P4C168-35JC | PYRAMID |
获取价格 |
ULTRA HIGH SPEED 4K x 4 STATIC CMOS RAMS |
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