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P4C164-12P6MLF

更新时间： 2024-11-18 21:17:03

品牌	Logo	应用领域
PYRAMID		静态存储器光电二极管内存集成电路
页数	文件大小	规格书
16页	1239K
描述
Standard SRAM, 8KX8, 12ns, CMOS, PDIP28, 0.600 INCH, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, DIP-28

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P4C164-12P6MLF 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
零件包装代码：	DIP	包装说明：	DIP,
针数：	28	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	3A001.A.2.C	HTS代码：	8542.32.00.41
风险等级：	5	最长访问时间：	12 ns
JESD-30 代码：	R-PDIP-T28	长度：	36.322 mm
内存密度：	65536 bit	内存集成电路类型：	STANDARD SRAM
内存宽度：	8	功能数量：	1
端子数量：	28	字数：	8192 words
字数代码：	8000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	125 °C	最低工作温度：	-55 °C
组织：	8KX8	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	DIP	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	IN-LINE	并行/串行：	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	座面最大高度：	5.08 mm
最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V	最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)：	5 V	表面贴装：	NO
技术：	CMOS	温度等级：	MILITARY
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子节距：	2.54 mm
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
宽度：	15.24 mm	Base Number Matches：	1

P4C164-12P6MLF 数据手册

P4C164

ULTRA HIGH SPEED 8K X 8

STATIC CMOS RAMS

FEATURES

Full CMOS, 6T Cell

Common Data I/O

High Speed (Equal Access and Cycle Times)

– 8/10/12/15/20/25/35/70/100 ns (Commercial)

– 10/12/15/20/25/35/70/100 ns(Industrial)

– 12/15/20/25/35/45/70/100 ns (Military)

Fully TTL Compatible Inputs and Outputs

Standard Pinout (JEDEC Approved)

– 28-Pin 300 mil Plastic DIP, SOJ

– 28-Pin 600 mil Plastic DIP

Low Power Operation

– 28-Pin 300 mil SOP (70 & 100ns)

– 28-Pin 300 mil Ceramic DIP

– 28-Pin 600 mil Ceramic DIP

– 28-Pin 350 x 550 mil LCC

Output Enable and Dual Chip Enable Control

Functions

– 32-Pin 450 x 550 mil LCC

– 28-Pin Glass-sealed CERPACK

– 28-Pin Solder-sealed CERPACK

Single 5V±10% Power Supply

Data Retention with 2.0V Supply, 10 µA Typical

Current (P4C164L Only)

DESCRIPTIOꢀ

The P4C164 is a 65,536-bit ultra high-speed static RAM

organized as 8K x 8. The CMOS memory requires no

clocksorrefreshingandhasequalaccessandcycletimes.

Inputs are fully TTL-compatible. The RAM operates from

a single 5V±10% tolerance power supply. With battery

backup (P4C164L Only), data integrity is maintained with

supply voltages down to 2.0V. Current drain is typically 10

µA from a 2.0V supply.

Access times as fast as 8 nanoseconds are available,

permitting greatly enhanced system operating speeds.

The P4C164 is available in 28-pin 300 mil DIP and SOJ,

28-pin600milplasticandceramicDIP,28-pin350x550mil

LCC, 32-pin 450 x 550 mil LCC, and 28-pin glass-sealed

CERPACK and solder-sealed ﬂatpack.

FUꢀCTIOꢀAL BLOCK DIAGRAM

PIꢀ COꢀFIGURATIOꢀS

DIP (P5, P6, C5, C5-1, D5-1, D5-2),

SOJ (J5), CERPACK (F4), SOLDER-SEAL FLATPACK (FS-5), SOP (S6)

SEE PAGE 8 FOR LCC PIN CONFIGURATIONS

Document # SRAM115 REV H

Revised April 2011

12 3 4 5 6 7...16

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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P4C164-12PILF	PYRAMID	获取价格	ULTRA HIGH SPEED 8K x 8 STATIC CMOS RAMS
P4C164-12PMB	PYRAMID	获取价格	Standard SRAM, 8KX8, 12ns, CMOS, PDIP28, 0.300 INCH, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, DIP-28
P4C164-12PMBLF	PYRAMID	获取价格	ULTRA HIGH SPEED 8K x 8 STATIC CMOS RAMS
P4C164-12PMLF	PYRAMID	获取价格	ULTRA HIGH SPEED 8K x 8 STATIC CMOS RAMS
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