是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Active | 零件包装代码: | DIP |
包装说明: | DIP, DIP28,.3 | 针数: | 28 |
Reach Compliance Code: | compliant | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8542.32.00.41 | 风险等级: | 5 |
Is Samacsys: | N | 最长访问时间: | 12 ns |
I/O 类型: | COMMON | JESD-30 代码: | R-PDIP-T28 |
JESD-609代码: | e3 | 长度: | 34.8615 mm |
内存密度: | 65536 bit | 内存集成电路类型: | STANDARD SRAM |
内存宽度: | 8 | 功能数量: | 1 |
端子数量: | 28 | 字数: | 8192 words |
字数代码: | 8000 | 工作模式: | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 85 °C | 最低工作温度: | -40 °C |
组织: | 8KX8 | 输出特性: | 3-STATE |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装代码: | DIP |
封装等效代码: | DIP28,.3 | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | IN-LINE | 并行/串行: | PARALLEL |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 电源: | 5 V |
认证状态: | Not Qualified | 座面最大高度: | 5.334 mm |
最大待机电流: | 0.015 A | 最小待机电流: | 4.5 V |
子类别: | SRAMs | 最大压摆率: | 0.18 mA |
最大供电电压 (Vsup): | 5.5 V | 最小供电电压 (Vsup): | 4.5 V |
标称供电电压 (Vsup): | 5 V | 表面贴装: | NO |
技术: | CMOS | 温度等级: | INDUSTRIAL |
端子面层: | MATTE TIN | 端子形式: | THROUGH-HOLE |
端子节距: | 2.54 mm | 端子位置: | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 宽度: | 7.62 mm |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
P4C164-12PMB | PYRAMID |
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Standard SRAM, 8KX8, 12ns, CMOS, PDIP28, 0.300 INCH, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, DIP-28 | |
P4C164-12PMBLF | PYRAMID |
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ULTRA HIGH SPEED 8K x 8 STATIC CMOS RAMS | |
P4C164-12PMLF | PYRAMID |
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ULTRA HIGH SPEED 8K x 8 STATIC CMOS RAMS | |
P4C164-15CC | PYRAMID |
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Standard SRAM, 8KX8, 15ns, CMOS, CDIP28, 0.300 INCH, CERAMIC, SIDE BRAZED, DIP-28 | |
P4C164-15CCLF | PYRAMID |
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ULTRA HIGH SPEED 8K x 8 STATIC CMOS RAMS | |
P4C164-15CILF | PYRAMID |
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ULTRA HIGH SPEED 8K x 8 STATIC CMOS RAMS | |
P4C164-15CMB | PYRAMID |
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Standard SRAM, 8KX8, 15ns, CMOS, CDIP28, 0.300 INCH, CERAMIC, SIDE BRAZED, DIP-28 | |
P4C164-15CMBLF | PYRAMID |
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ULTRA HIGH SPEED 8K x 8 STATIC CMOS RAMS | |
P4C164-15CMLF | PYRAMID |
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ULTRA HIGH SPEED 8K x 8 STATIC CMOS RAMS | |
P4C164-15CWCLF | PYRAMID |
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ULTRA HIGH SPEED 8K x 8 STATIC CMOS RAMS |