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P4C163L-45CMB PDF预览

P4C163L-45CMB

更新时间： 2024-10-26 14:44:07
品牌 Logo 应用领域
PYRAMID 静态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
8页 84K
描述
Standard SRAM, 8KX9, 45ns, CMOS, CDIP28, 0.300 INCH, SIDE BRAZED, CERAMIC, DIP-28

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P4C163L-45CMB 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 不符合
生命周期：Active零件包装代码：DIP
包装说明：DIP,针数：28
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：3A001.A.2.C
HTS代码：8542.32.00.41风险等级：5.12
最长访问时间：45 nsJESD-30 代码：R-CDIP-T28
JESD-609代码：e0长度：36.449 mm
内存密度：73728 bit内存集成电路类型：STANDARD SRAM
内存宽度：9功能数量：1
端子数量：28字数：8192 words
字数代码：8000工作模式：ASYNCHRONOUS
最高工作温度：125 °C最低工作温度：-55 °C
组织：8KX9封装主体材料：CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码：DIP封装形状：RECTANGULAR
封装形式：IN-LINE并行/串行：PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED认证状态：Not Qualified
筛选级别：MIL-STD-883 Class B座面最大高度：5.715 mm
最大供电电压 (Vsup)：5.5 V最小供电电压 (Vsup)：4.5 V
标称供电电压 (Vsup)：5 V表面贴装：NO
技术：CMOS温度等级：MILITARY
端子面层：TIN LEAD端子形式：THROUGH-HOLE
端子节距：2.54 mm端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED宽度：7.62 mm
Base Number Matches：1

P4C163L-45CMB 数据手册

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P4C163/P4C163L  
ULTRA HIGH SPEED 8K x 9  
STATIC CMOS RAMS  
FEATURES  
Full CMOS, 6T Cell  
Single 5V±10% Power Supply  
High Speed (Equal Access and Cycle Times)  
– 25/35ns (Commercial)  
Data Retention with 2.0V Supply, 10 µA Typical  
Current (P4C163L Military)  
– 25/35/45ns (Military)  
Common I/O  
Low Power Operation (Commercial/Military)  
– 690/800 mW Active – 25  
– 193/220 mW Standby (TTL Input)  
– 5.5 mW Standby (CMOS Input) P4C163L  
Fully TTL Compatible Inputs and Outputs  
Standard Pinout (JEDEC Approved)  
– 28-Pin 300 mil DIP, SOJ  
– 28-Pin 350 x 550 mil LCC  
– 28-Pin CERPACK  
Output Enable and Dual Chip Enable Control  
Functions  
DESCRIPTION  
Access times as fast as 25 nanoseconds are available, per-  
mitting greatly enhanced system operating speeds. CMOS  
is used to reduce power consumption in both active and  
standby modes.  
The P4C163 and P4C163L are 73,728-bit ultra high-speed  
static RAMs organized as 8K x 9. The CMOS memories re-  
quire no clocks or refreshing and have equal access and  
cycle times. Inputs are fully TTL-compatible. The RAMs op-  
erate from a single 5V±10% tolerance power supply. With  
battery backup, data integrity is maintained for supply volt-  
agesdownto2.0V.Currentdrainis10µAfroma2.0Vsupply.  
The P4C163 and P4C163L are available in 28-pin 300 mil  
DIPandSOJand28-pin350x550milLCCpackagesprovid-  
ing excellent board level densities.  
FUNCTIONAL BLOCK DIAGRAM  
PIN CONFIGURATIONS  
A0  
A
A
A
A
A
V
CC  
1
28  
27  
26  
25  
24  
23  
22  
21  
20  
19  
18  
17  
16  
15  
3
27  
26  
0
1
2
3
73,728-BIT  
ROW  
MEMORY  
SELECT  
ARRAY  
2
A
A
A
A
A
A
4
5
6
7
8
9
CE  
A
WE  
2
3
4
2
28  
CE  
3
2
1
25  
24  
23  
22  
21  
20  
19  
18  
12  
4
A
12  
A
11  
A7  
A
A
5
6
7
8
1
11  
10  
4
5
6
7
8
5
A
A
A
A
I/O1  
A
10  
6
OE  
7
INPUT  
OE  
DATA  
COLUMN I/O  
A
9
8
A
9
CONTROL  
I/O  
I/O  
I/O  
10  
11  
12  
9
CE  
I/O  
1
I/O9  
CE1  
I/O  
10  
11  
12  
13  
14  
9
1
I/O  
9
8
2
3
I/O  
2
14 15 16  
I/O  
I/O  
I/O  
I/O  
I/O  
COLUMN  
SELECT  
8
I/O  
3
13  
17  
7
6
5
I/O  
4
CE  
CE  
GND  
1
2
A8  
A12  
WE  
DIP (P5, C5), SOJ (J5)  
LCC (L5)  
CERPACK (F4) SIMILAR  
TOP VIEW  
TOP VIEW  
OE  
Means Quality, Service and Speed  
1Q97  
109  
12345678

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与P4C163L-45CMB相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
P4C163L-45CMBLF PYRAMID

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 		Standard SRAM, 8KX9, 45ns, CMOS, CDIP28, 0.300 INCH, ROHS COMPLIANT, CERAMIC, DIP-28
P4C163L-45CMLF PYRAMID

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 		Standard SRAM, 8KX9, 45ns, CMOS, CDIP28, 0.300 INCH, ROHS COMPLIANT, CERAMIC, DIP-28
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