Datasheet > P4C163L-35FMLF

P4C163L-35FMLF

更新时间： 2024-12-01 14:36:35

品牌	Logo	应用领域
PYRAMID		静态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
12页	322K
描述
Standard SRAM, 8KX9, 35ns, CMOS, CDFP28, ROHS COMPLIANT, CERAMIC, DFP-28

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

P4C163L-35FMLF 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	DFP
包装说明：	DFP,	针数：	28
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	3A001.A.2.C
HTS代码：	8542.32.00.41	风险等级：	5.12
最长访问时间：	35 ns	JESD-30 代码：	R-GDFP-F28
内存密度：	73728 bit	内存集成电路类型：	STANDARD SRAM
内存宽度：	9	功能数量：	1
端子数量：	28	字数：	8192 words
字数代码：	8000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	125 °C	最低工作温度：	-55 °C
组织：	8KX9	封装主体材料：	CERAMIC, GLASS-SEALED
封装代码：	DFP	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLATPACK	并行/串行：	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	2.286 mm	最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V	标称供电电压 (Vsup)：	5 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	MILITARY	端子形式：	FLAT
端子节距：	1.27 mm	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	宽度：	9.017 mm
Base Number Matches：	1

P4C163L-35FMLF 数据手册

P4C163/P4C163L

ULTRA HIGH SPEED 8K x 9

STATIC CMOS RAMS

FEATURES

Data Retention with 2.0V Supply, 10 µA Typical

Current (P4C163L Military)

Full CMOS, 6T Cell

High Speed (Equal Access and Cycle Times)

– 25/35ns (Commercial)

Common I/O

– 25/35/45ns (Military)

Fully TTL Compatible Inputs and Outputs

Low Power Operation (Commercial/Military)

Standard Pinout (JEDEC Approved)

– 28-Pin 300 mil DIP, SOJ

– 28-Pin 350 x 550 mil LCC

– 28-Pin CERPACK

Output Enable and Dual Chip Enable Control

Functions

Single 5V±10% Power Supply

DESCRIPTION

Accesstimesasfastas25nanosecondsareavailable,per-

mittinggreatlyenhancedsystemoperatingspeeds.CMOS

is used to reduce power consumption in both active and

standbymodes.

TheP4C163andP4C163Lare73,728-bitultrahigh-speed

staticRAMsorganizedas8Kx9.TheCMOSmemoriesre-

quire no clocks or refreshing and have equal access and

cycle times. Inputs are fully TTL-compatible. The RAMs

operate from a single 5V±10% tolerance power supply.

Withbatterybackup,dataintegrityismaintainedforsupply

voltages down to 2.0V. Current drain is 10 µA from a 2.0V

supply.

The P4C163 and P4C163L are available in 28-pin 300 mil

DIP and SOJ, 28-pin 350 x 550 mil LCC, and 28-pin

CERPACKpackagesprovidingexcellentboardleveldensi-

ties.

FUNCTIONAL BLOCK DIAGRAM

PIN CONFIGURATIONS

DIP (P5, C5), SOJ (J5)

CERPACK (F4) SIMILAR

LCC (L5)

Document # SRAM120 REV C

Revised August 2006

12 3 4 5 6 7...12

中文翻译

下载PDF

与P4C163L-35FMLF相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
P4C163L-35JC	ETC	获取价格	x9 SRAM
P4C163L-35LC	ETC	获取价格	x9 SRAM
P4C163L-35LM	PYRAMID	获取价格	Standard SRAM, 8KX9, 35ns, CMOS, CQCC28, 0.350 X 0.550 INCH, CERAMIC, LCC-28
P4C163L-35LMB	PYRAMID	获取价格	Standard SRAM, 8KX9, 35ns, CMOS, CQCC28, 0.350 X 0.550 INCH, CERAMIC, LCC-28
P4C163L-35LMBLF	PYRAMID	获取价格	Standard SRAM, 8KX9, 35ns, CMOS, CQCC28, 0.350 X 0.550 INCH, ROHS COMPLIANT, CERAMIC, LCC-
P4C163L-35LMLF	PYRAMID	获取价格	Standard SRAM, 8KX9, 35ns, CMOS, CQCC28, 0.350 X 0.550 INCH, ROHS COMPLIANT, CERAMIC, LCC-
P4C163L-35PC	ETC	获取价格	x9 SRAM
P4C163L-45CM	ETC	获取价格	x9 SRAM
P4C163L-45CMB	PYRAMID	获取价格	Standard SRAM, 8KX9, 45ns, CMOS, CDIP28, 0.300 INCH, SIDE BRAZED, CERAMIC, DIP-28
P4C163L-45CMBLF	PYRAMID	获取价格	Standard SRAM, 8KX9, 45ns, CMOS, CDIP28, 0.300 INCH, ROHS COMPLIANT, CERAMIC, DIP-28

与P4C163L-35FMLF相关文章

解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
2024-11-18

53
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
2024-11-18

42
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
2024-11-14

70
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
2024-11-14

66

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

P4C163L-35FMLF

P4C163L-35FMLF 技术参数

P4C163L-35FMLF 数据手册

与P4C163L-35FMLF相关器件

与P4C163L-35FMLF相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

P4C163L-35FMLF

P4C163L-35FMLF 技术参数

P4C163L-35FMLF 数据手册

与P4C163L-35FMLF相关器件

与P4C163L-35FMLF相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？