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P11C68-45/IG/DCBS

更新时间： 2024-11-12 20:33:27

品牌	Logo	应用领域
美高森美 - MICROSEMI		静态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
18页	291K
描述
8KX8 NON-VOLATILE SRAM, 45ns, CDIP28, 0.300 INCH, SIDE BRAZED, CERAMIC, DIP-28

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P11C68-45/IG/DCBS 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	DIP
包装说明：	DIP,	针数：	28
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.41	风险等级：	5.84
最长访问时间：	45 ns	JESD-30 代码：	R-CDIP-T28
JESD-609代码：	e0	长度：	35.56 mm
内存密度：	65536 bit	内存集成电路类型：	NON-VOLATILE SRAM
内存宽度：	8	功能数量：	1
端子数量：	28	字数：	8192 words
字数代码：	8000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：	-40 °C
组织：	8KX8	封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码：	DIP	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	IN-LINE	并行/串行：	PARALLEL
认证状态：	Not Qualified	最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V	标称供电电压 (Vsup)：	5 V
表面贴装：	NO	技术：	CMOS
温度等级：	INDUSTRIAL	端子面层：	TIN LEAD
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子节距：	2.54 mm
端子位置：	DUAL	宽度：	7.62 mm
Base Number Matches：	1

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
P11C68-45/IG/DPBS	MICROSEMI	获取价格	8KX8 NON-VOLATILE SRAM, 45ns, PDIP28, 0.300 INCH, PLASTIC, DIP-28
P11C68-45CG	ZARLINK	获取价格	CMOS/SNOS NVSRAM HIGH PERFORMANCE 8 K x 8 NON-VOLATILE STATIC RAM
P11C68-45CGDCBS	ZARLINK	获取价格	CMOS/SNOS NVSRAM HIGH PERFORMANCE 8 K x 8 NON-VOLATILE STATIC RAM
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P11C68-45IGDPBS	ZARLINK	获取价格	CMOS/SNOS NVSRAM HIGH PERFORMANCE 8 K x 8 NON-VOLATILE STATIC RAM
P11C68-CG	ZARLINK	获取价格	CMOS/SNOS NVSRAM HIGH PERFORMANCE 8 K x 8 NON-VOLATILE STATIC RAM