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| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | DIP |
| 包装说明： | DIP, | 针数： | 28 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8542.32.00.41 | 风险等级： | 5.84 |
| 最长访问时间： | 45 ns | JESD-30 代码： | R-PDIP-T28 |
| JESD-609代码： | e0 | 长度： | 34.8 mm |
| 内存密度： | 65536 bit | 内存集成电路类型： | NON-VOLATILE SRAM |
| 内存宽度： | 8 | 功能数量： | 1 |
| 端子数量： | 28 | 字数： | 8192 words |
| 字数代码： | 8000 | 工作模式： | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度： | 70 °C | 最低工作温度： | |
| 组织： | 8KX8 | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码： | DIP | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | IN-LINE | 并行/串行： | PARALLEL |
| 认证状态： | Not Qualified | 座面最大高度： | 5.08 mm |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 5.5 V | 最小供电电压 (Vsup)： | 4.5 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V | 表面贴装： | NO |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | COMMERCIAL |
| 端子面层： | TIN LEAD | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子节距： | 2.54 mm | 端子位置： | DUAL |
| 宽度： | 7.62 mm | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| P10C68-45/IG/DCBS | MICROSEMI |
获取价格 |
8KX8 NON-VOLATILE SRAM, 45ns, CDIP28, 0.300 INCH, SIDE BRAZED, CERAMIC, DIP-28 |
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| P10C68-45/IG/DPBS | MICROSEMI |
获取价格 |
Non-Volatile SRAM, 8KX8, 45ns, CMOS, PDIP28, 0.300 INCH, PLASTIC, DIP-28 |
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| P10C68-45CG | ZARLINK |
获取价格 |
CMOS/SNOS NVSRAM HIGH PERFORMANCE 8 K x 8 NON-VOLATILE STATIC RAM |
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| P10C68-45CGDCBS | ZARLINK |
获取价格 |
CMOS/SNOS NVSRAM HIGH PERFORMANCE 8 K x 8 NON-VOLATILE STATIC RAM |
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| P10C68-45CGDPBS | ZARLINK |
获取价格 |
CMOS/SNOS NVSRAM HIGH PERFORMANCE 8 K x 8 NON-VOLATILE STATIC RAM |
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| P10C68-45DCBS | ZARLINK |
获取价格 |
CMOS/SNOS NVSRAM HIGH PERFORMANCE 8 K x 8 NON-VOLATILE STATIC RAM |
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| P10C68-45DPBS | ZARLINK |
获取价格 |
CMOS/SNOS NVSRAM HIGH PERFORMANCE 8 K x 8 NON-VOLATILE STATIC RAM |
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| P10C68-45IG | ZARLINK |
获取价格 |
CMOS/SNOS NVSRAM HIGH PERFORMANCE 8 K x 8 NON-VOLATILE STATIC RAM |
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| P10C68-45IGDCBS | ZARLINK |
获取价格 |
CMOS/SNOS NVSRAM HIGH PERFORMANCE 8 K x 8 NON-VOLATILE STATIC RAM |
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| P10C68-45IGDPBS | ZARLINK |
获取价格 |
CMOS/SNOS NVSRAM HIGH PERFORMANCE 8 K x 8 NON-VOLATILE STATIC RAM |
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