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| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | DIP |
| 包装说明： | DIP, | 针数： | 28 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8542.32.00.41 | 风险等级： | 5.84 |
| Is Samacsys： | N | 最长访问时间： | 45 ns |
| JESD-30 代码： | R-PDIP-T28 | JESD-609代码： | e0 |
| 长度： | 34.8 mm | 内存密度： | 65536 bit |
| 内存集成电路类型： | NON-VOLATILE SRAM | 内存宽度： | 8 |
| 功能数量： | 1 | 端子数量： | 28 |
| 字数： | 8192 words | 字数代码： | 8000 |
| 工作模式： | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度： | 85 °C |
| 最低工作温度： | -40 °C | 组织： | 8KX8 |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装代码： | DIP |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | IN-LINE |
| 并行/串行： | PARALLEL | 认证状态： | Not Qualified |
| 座面最大高度： | 5.08 mm | 最大供电电压 (Vsup)： | 5.5 V |
| 最小供电电压 (Vsup)： | 4.5 V | 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V |
| 表面贴装： | NO | 技术： | CMOS |
| 温度等级： | INDUSTRIAL | 端子面层： | TIN LEAD |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子节距： | 2.54 mm |
| 端子位置： | DUAL | 宽度： | 7.62 mm |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| P10C68-45CG | ZARLINK |
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CMOS/SNOS NVSRAM HIGH PERFORMANCE 8 K x 8 NON-VOLATILE STATIC RAM |
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| P10C68-45CGDCBS | ZARLINK |
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CMOS/SNOS NVSRAM HIGH PERFORMANCE 8 K x 8 NON-VOLATILE STATIC RAM |
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| P10C68-45CGDPBS | ZARLINK |
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CMOS/SNOS NVSRAM HIGH PERFORMANCE 8 K x 8 NON-VOLATILE STATIC RAM |
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| P10C68-45DCBS | ZARLINK |
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CMOS/SNOS NVSRAM HIGH PERFORMANCE 8 K x 8 NON-VOLATILE STATIC RAM |
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| P10C68-45DPBS | ZARLINK |
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CMOS/SNOS NVSRAM HIGH PERFORMANCE 8 K x 8 NON-VOLATILE STATIC RAM |
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| P10C68-45IG | ZARLINK |
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CMOS/SNOS NVSRAM HIGH PERFORMANCE 8 K x 8 NON-VOLATILE STATIC RAM |
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| P10C68-45IGDCBS | ZARLINK |
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CMOS/SNOS NVSRAM HIGH PERFORMANCE 8 K x 8 NON-VOLATILE STATIC RAM |
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| P10C68-45IGDPBS | ZARLINK |
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CMOS/SNOS NVSRAM HIGH PERFORMANCE 8 K x 8 NON-VOLATILE STATIC RAM |
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| P10C68-CG | ZARLINK |
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CMOS/SNOS NVSRAM HIGH PERFORMANCE 8 K x 8 NON-VOLATILE STATIC RAM |
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| P10C68-CGDCBS | ZARLINK |
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CMOS/SNOS NVSRAM HIGH PERFORMANCE 8 K x 8 NON-VOLATILE STATIC RAM |
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