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P1087-D74Z

更新时间： 2024-11-02 15:47:11
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD /
页数 文件大小 规格书
3页 26K
描述
Small Signal Field-Effect Transistor, P-Channel, Junction FET

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P1087-D74Z 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.84
FET 技术：JUNCTIONJESD-609代码：e3
最高工作温度：150 °C极性/信道类型：P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：0.35 W子类别：FET General Purpose Small Signal
表面贴装：NO端子面层：Matte Tin (Sn)
Base Number Matches：1

P1087-D74Z 数据手册

 浏览型号P1087-D74Z的Datasheet PDF文件第2页浏览型号P1087-D74Z的Datasheet PDF文件第3页 
P1087  
P-Channel Switch  
•
This device is designed for low level analog switching sample and hold  
circuits and chopper stabilized amplifiers.  
•
Sourced from process 88.  
TO-92  
D S G  
Absolute Maximum Ratings T =25°C unless otherwise noted  
C
Symbol  
Parameter  
Value  
Units  
V
V
V
Drain-Gate Voltage  
Gate-Source Voltage  
Forward Gate Current  
- 30  
30  
DG  
GS  
V
I
50  
mA  
°C  
GF  
T , T  
Operating and Storage Junction Temperature Range  
-55 ~ +150  
J
STG  
* These ratings are limiting values above which the serviceability of any semiconductor device may be impaired.  
NOTES:  
1. These ratings are based on a maximum junction temperature of 150 degrees C.  
2. These are steady state limits. The factory should be consulted on applications involving pulsed or low duty cycle operations.  
Electrical Characteristics T =25°C unless otherwise noted  
C
Symbol  
Parameter  
Gate-Source Breakdown Voltage  
Gate Reverse Current  
Test Condition  
Min.  
Typ.  
Max. Units  
BV  
V
V
= 0V, IG = 1µA  
30  
V
GSS  
GSS  
DS  
GS  
I
= 15V  
2
nA  
nA  
µA  
NA  
µA  
mA  
V
I (off)  
Drain Cutoff Leakage Current  
V
V
= 15V  
= 7V  
10  
0.5  
2
D
DS  
GS  
T = +85°C  
T = +85°C  
I
I
Drain-Gate Leakage Current  
V
= 15V  
DGO  
DG  
= 0  
I
S
0.1  
Zero-Gate Voltage Drain Current  
Gate-Source Cutoff Voltage  
Drain-Source On Voltage  
Drain-Source On Resistance  
Drain-Source On Resistance  
Input Capacitance  
V
V
V
V
V
V
V
= 20V, V = 0V  
5
DSS  
DS  
DS  
GS  
GS  
GS  
DS  
DS  
GS  
V
V
(off)  
(on)  
= 15V, I = 1µA  
5
GS  
D
= 0V, I = 3mA  
0.5  
150  
150  
45  
V
DS  
D
r
r
(on)  
= 0V, I = 1mA  
Ω
DS  
D
(on)  
= 0V, I = 0, f = 1kHz  
Ω
ds  
D
C
C
= 15V, V = 0V, f = 1MHz  
pF  
pF  
ns  
ns  
ns  
ns  
iss  
rss  
GS  
Reverse Transfer Capacitance  
Trun On Time  
= 0V, V = 7V, f = 1MHz  
10  
GS  
t (on)  
V
V
= -6V  
(off) = +7V  
R = 1.8kΩ  
I (on) = -3mA  
15  
d
DD  
GS  
t
Rise Time  
75  
r
L
t (off)  
Trun Off Time  
25  
d
D
t
Fall Time  
100  
f
Thermal Characteristics T =25°C unless otherwise noted  
A
Symbol  
Parameter  
Max.  
Units  
mW  
mW/°C  
P
Total Device Dissipation  
Derate above 25°C  
350  
2.8  
D
R
R
Thermal Resistance, Junction to Case  
Thermal Resistance, Junction to Ambient  
125  
357  
°C/W  
θJC  
θJA  
°C/W  
©2002 Fairchild Semiconductor Corporation  
Rev. A1, November 2002  
123

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