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| 生命周期： | Transferred | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.65 | 其他特性： | LOW INSERTION LOSS |
| 配置： | SINGLE | 最大漏源导通电阻： | 150 Ω |
| FET 技术： | JUNCTION | 最大反馈电容 (Crss)： | 10 pF |
| JEDEC-95代码： | TO-226AA | JESD-30 代码： | O-PBCY-W3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | DEPLETION MODE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | CYLINDRICAL |
| 极性/信道类型： | P-CHANNEL | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | WIRE |
| 端子位置： | BOTTOM | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| P1087L-18 | TEMIC |
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Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, P-Channel, Silicon, Junction FET, TO-226A |
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| P1087LTA | TEMIC |
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Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, P-Channel, Silicon, Junction FET, TO-226A |
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| P1087LTR | TEMIC |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, P-Channel, Silicon, Junction FET, TO-226A |
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| P10-8R | PANDUIT |
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NON-INSULATED, 12-10 BARREL, RINGS |
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| P10-8R-D | PANDUIT |
获取价格 |
NON-INSULATED, 12-10 BARREL, RINGS |
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| P10-8R-L | PANDUIT |
获取价格 |
NON-INSULATED, 12-10 BARREL, RINGS |
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| P109 | ETC |
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SSMP FEMALE STRAIGHT 50 OHM LOAD TERMINATION |
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| P1096-06 | HAMAMATSU |
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CbS photoconductive cell |
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| P10964EJ2V0AN00 | ETC |
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uPC1675G. uPC1676G. uPC1688G General-Purpose High-Frequency Wideband Amplifiers |
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| P10A05 | SECOS |
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VOLTAGE 50 ~ 1000 V 10 A, General Purpose Rectifiers |
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