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P100CH02FN0

更新时间: 2024-11-12 20:56:59
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力特 - LITTELFUSE 栅极
页数 文件大小 规格书
6页 862K
描述
Silicon Controlled Rectifier, 336000mA I(T), 200V V(DRM),

P100CH02FN0 技术参数

生命周期:ActiveReach Compliance Code:compliant
风险等级:5.04标称电路换相断开时间:10 µs
关态电压最小值的临界上升速率:200 V/us最大直流栅极触发电流:200 mA
最大直流栅极触发电压:3 V最大维持电流:600 mA
最大漏电流:20 mA通态非重复峰值电流:1800 A
最大通态电压:2.32 V最大通态电流:336000 A
最高工作温度:125 °C最低工作温度:-40 °C
断态重复峰值电压:200 V子类别:Silicon Controlled Rectifiers
表面贴装:NO触发设备类型:SCR
Base Number Matches:1

P100CH02FN0 数据手册

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