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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | POST/STUD MOUNT, O-MUPM-H3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.30.00.80 | 风险等级： | 5.84 |
| 其他特性： | HIGH RELIABILITY | 标称电路换相断开时间： | 40 µs |
| 配置： | SINGLE | 关态电压最小值的临界上升速率： | 50 V/us |
| 最大直流栅极触发电流： | 200 mA | 最大直流栅极触发电压： | 3 V |
| 最大维持电流： | 600 mA | JESD-30 代码： | O-MUPM-H3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 封装主体材料： | METAL | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | POST/STUD MOUNT | 认证状态： | Not Qualified |
| 最大均方根通态电流： | 175 A | 重复峰值关态漏电流最大值： | 20000 µA |
| 断态重复峰值电压： | 200 V | 重复峰值反向电压： | 200 V |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | HIGH CURRENT CABLE |
| 端子位置： | UPPER | 触发设备类型： | SCR |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| P086PH02DGO | IXYS |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 175 A, 200 V, SCR |
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| P086PH02DH | IXYS |
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Silicon Controlled Rectifier, 175000mA I(T), 200V V(DRM) |
|
| P086PH02DHO | IXYS |
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Silicon Controlled Rectifier, 175A I(T)RMS, 200V V(DRM), 200V V(RRM), 1 Element |
|
| P086PH02DJ0 | IXYS |
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Silicon Controlled Rectifier, 175000mA I(T), 200V V(DRM) |
|
| P086PH02DJO | IXYS |
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Silicon Controlled Rectifier, 175A I(T)RMS, 200V V(DRM), 200V V(RRM), 1 Element |
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| P086PH02E2K | IXYS |
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Silicon Controlled Rectifier, 175 A, 200 V, SCR |
|
| P086PH02E2K0 | IXYS |
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Silicon Controlled Rectifier, SILICON CONTROLLED RECTIFIER,200V V(DRM),175A I(T),TO-209AC |
|
| P086PH02E2KO | IXYS |
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Silicon Controlled Rectifier, 175A I(T)RMS, 200V V(DRM), 200V V(RRM), 1 Element |
|
| P086PH02EGO | IXYS |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 175A I(T)RMS, 200V V(DRM), 200V V(RRM), 1 Element |
|
| P086PH02EH | IXYS |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 175 A, 200 V, SCR |
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