5秒后页面跳转
| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | POST/STUD MOUNT, O-MUPM-H3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | HTS代码： | 8541.30.00.80 |
| 风险等级： | 5.84 | Is Samacsys： | N |
| 其他特性： | HIGH RELIABILITY | 配置： | SINGLE |
| 最大直流栅极触发电流： | 100 mA | JESD-30 代码： | O-MUPM-H3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 封装主体材料： | METAL | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | POST/STUD MOUNT | 认证状态： | Not Qualified |
| 最大均方根通态电流： | 100 A | 断态重复峰值电压： | 400 V |
| 重复峰值反向电压： | 400 V | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | HIGH CURRENT CABLE | 端子位置： | UPPER |
| 触发设备类型： | SCR | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| P036PH04FM | IXYS |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 100A I(T)RMS, 400V V(DRM), 400V V(RRM), 1 Element |
|
| P036PH04FMO | IXYS |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 100A I(T)RMS, 400V V(DRM), 400V V(RRM), 1 Element |
|
| P036PH04FN | IXYS |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 100A I(T)RMS, 57000mA I(T), 400V V(DRM), 400V V(RRM), 1 Elem |
|
| P036PH06CK | IXYS |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 100 A, 600 V, SCR |
|
| P036PH06CL | IXYS |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 100 A, 600 V, SCR |
|
| P036PH06CM | IXYS |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 100 A, 600 V, SCR |
|
| P036PH06CMO | IXYS |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 100 A, 600 V, SCR |
|
| P036PH06CNO | IXYS |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 100A I(T)RMS, 600V V(DRM), 600V V(RRM), 1 Element |
|
| P036PH06DJ | IXYS |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 100A I(T)RMS, 600V V(DRM), 600V V(RRM), 1 Element |
|
| P036PH06DJO | IXYS |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 100A I(T)RMS, 600V V(DRM), 600V V(RRM), 1 Element |
|
三星深化印度制造布局，供应链本地化进程加速
芯擎科技“星辰一号”自动驾驶芯片点亮成功，2025年量产在即
纳微科技震撼发布GaNSlim革新氮化镓功率芯片
意法半导体发布第四代SiC技术，助力电动汽车电驱
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
