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P036PH06EMO PDF预览

P036PH06EMO

更新时间： 2024-02-08 21:11:35

品牌	Logo	应用领域
IXYS		栅栅极
页数	文件大小	规格书
2页	257K
描述
Silicon Controlled Rectifier, 100A I(T)RMS, 600V V(DRM), 600V V(RRM), 1 Element

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P036PH06EMO 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	POST/STUD MOUNT, O-MUPM-H3
Reach Compliance Code：	unknown	HTS代码：	8541.30.00.80
风险等级：	5.84	其他特性：	HIGH RELIABILITY
配置：	SINGLE	最大直流栅极触发电流：	100 mA
JESD-30 代码：	O-MUPM-H3	元件数量：	1
端子数量：	3	封装主体材料：	METAL
封装形状：	ROUND	封装形式：	POST/STUD MOUNT
认证状态：	Not Qualified	最大均方根通态电流：	100 A
断态重复峰值电压：	600 V	重复峰值反向电压：	600 V
表面贴装：	NO	端子形式：	HIGH CURRENT CABLE
端子位置：	UPPER	触发设备类型：	SCR

P036PH06EMO 数据手册

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
P036PH06ENO	IXYS	Silicon Controlled Rectifier, 100A I(T)RMS, 600V V(DRM), 600V V(RRM), 1 Element	获取价格
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