2N6052

更新时间： 2024-01-31 02:12:47

品牌	Logo	应用领域
安森美 - ONSEMI		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
8页	131K
描述
Darlington Complementary Silicon Power Transistors

阅读下载

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

2N6052 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	TO-204AA
包装说明：	TO-3, 2 PIN	针数：	2
Reach Compliance Code：	not_compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.95	风险等级：	5.13
外壳连接：	COLLECTOR	最大集电极电流 (IC)：	12 A
集电极-发射极最大电压：	100 V	配置：	DARLINGTON
最小直流电流增益 (hFE)：	750	JEDEC-95代码：	TO-3
JESD-30 代码：	O-MBFM-P2	JESD-609代码：	e3
元件数量：	1	端子数量：	2
封装主体材料：	METAL	封装形状：	ROUND
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	PNP	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子面层：	MATTE TIN (315)
端子形式：	PIN/PEG	端子位置：	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：	10	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	4 MHz	Base Number Matches：	1

2N6052 数据手册

ON Semiconductort

PNP

Darlington Complementary

Silicon Power Transistors

2N6052

NPN

. . . designed for general–purpose amplifier and low frequency

switching applications.

2N6058

• High DC Current Gain —

= 3500 (Typ) @ I = 5.0 Adc

2N6059

*ON Semiconductor Preferred Device

• Collector–Emitter Sustaining Voltage — @ 100 mA

= 80 Vdc (Min) — 2N6058

CEO(sus)

100 Vdc (Min) — 2N6052, 2N6059

• Monolithic Construction with Built–In Base–Emitter Shunt Resistors

DARLINGTON

12 AMPERE

MAXIMUM RATINGS (1)

COMPLEMENTARY

SILICON

POWER TRANSISTORS

80–100 VOLTS

150 WATTS

2N6052

2N6059

Rating

Collector–Emitter Voltage

Collector–Base Voltage

Emitter–Base voltage

Symbol

2N6058

Unit

Vdc

Adc

CEO

100

5.0

Collector Current — Continuous

Peak

Base Current

0.2

Adc

Total Device Dissipation

150

Watts

@T = 25_C

Derate above 25_C

0.857

W/_C

CASE 1–07

TO–204AA

(TO–3)

Operating and Storage Junction

Temperature Range

T , T

–65 to +200_C

stg

THERMAL CHARACTERISTICS

Characteristic

Symbol

Rating

Unit

Thermal Resistance, Junction to Case

(1) Indicates JEDEC Registered Data.

1.17

_C/W

160

140

120

100

125

150

175

200

T , CASE TEMPERATURE (°C)

Figure 1. Power Derating

Preferred devices are ON Semiconductor recommended choices for future use and best overall value.

Semiconductor Components Industries, LLC, 2001

Publication Order Number:

March, 2001 – Rev. 2

2N6052/D

12 3 4 5 6 7 8

下载PDF

与2N6052相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
2N6052/D	ETC	Darlington Complementary Silicon Power Transistors	获取价格
2N6052_06	ONSEMI	Darlington Complementary Silicon Power Transistors	获取价格
2N6052E3	MICROSEMI	Power Bipolar Transistor, 12A I(C), PNP	获取价格
2N6052G	ONSEMI	Darlington Complementary Silicon Power Transistors	获取价格
2N6052G	NJSEMI	Trans Darlington PNP 100V 12A 3-Pin(2+Tab) TO-204 Tray	获取价格
2N6052LEADFREE	CENTRAL	Power Bipolar Transistor, 12A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-3, Metal, 2	获取价格