2N5195G

更新时间： 2024-01-19 21:39:53

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安森美 - ONSEMI		晶体晶体管功率双极晶体管开关 PC 局域网
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描述
Silicon PNP Power Transistors

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2N5195G 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Active
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.75	最大集电极电流 (IC)：	4 A
集电极-发射极最大电压：	80 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	7	JEDEC-95代码：	TO-126
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	JESD-609代码：	e0
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	最低工作温度：	-65 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	PNP	表面贴装：	NO
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	2 MHz	Base Number Matches：	1

2N5195G 数据手册

2N5194, 2N5195

Preferred Devices

Silicon PNP Power

Transistors

These devices are designed for use in power amplifier and switching

circuits; excellent safe area limits. Complement to NPN 2N5191,

2N5192.

http://onsemi.com

Features

• Pb−Free Packages are Available*

4 AMPERE

POWER TRANSISTORS

PNP SILICON

MAXIMUM RATINGS (Note 1)

Rating

Collector−Emitter Voltage

Collector−Base Voltage

Emitter−Base Voltage

Collector Current

Symbol 2N5194 2N5195 Unit

60 − 80 VOLTS

Vdc

Adc

CEO

5.0

4.0

1.0

Base Current

Total Device Dissipation @ T = 25°C

320

W/°C

TO−225AA

CASE 77−09

STYLE 1

Derate above 25°C

Operating and Storage Junction

Temperature Range

T , T

–65 to +150

°C/W

stg

THERMAL CHARACTERISTICS

Characteristic

MARKING DIAGRAM

Symbol

Max

Unit

Thermal Resistance,

Junction−to−Case

3.12

°C/W

YWW

N519xG

Stresses exceeding Maximum Ratings may damage the device. Maximum

Ratings are stress ratings only. Functional operation above the Recommended

Operating Conditions is not implied. Extended exposure to stresses above the

Recommended Operating Conditions may affect device reliability.

1. Indicates JEDEC registered data.

= Year

= Work Week

2N519x = Device Code

x = 4 or 5

= Pb−Free Package

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2N5194

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TO−225

500 Units / Bulk

2N5194G

TO−225

(Pb−Free)

2N5195

TO−225

500 Units / Bulk

2N5195G

TO−225

(Pb−Free)

Preferred devices are recommended choices for future use

and best overall value.

*For additional information on our Pb−Free strategy and soldering details, please

download the ON Semiconductor Soldering and Mounting Techniques

Reference Manual, SOLDERRM/D.

Semiconductor Components Industries, LLC, 2006

Publication Order Number:

October, 2006 − Rev. 12

2N5194/D

12 3 4 5 6

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与2N5195G相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
2N5195LEADFREE	CENTRAL	Power Bipolar Transistor, 4A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-126, Plastic/	获取价格
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