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NX6350EP33-AZ

更新时间： 2024-02-03 09:05:37

品牌	Logo	应用领域
CEL		PC 光电半导体
页数	文件大小	规格书
6页	1013K
描述
LASER DIODE 1 270/1 290/1 310/1 330 nm AlGaInAs MQW-DFB LASER DIODE FOR 40GBASE-LR4 APPLICATION

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NX6350EP33-AZ 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.59
Samacsys Confidence：	4	Samacsys Status：	Released
Samacsys PartID：	5490221	Samacsys Pin Count：	4
Samacsys Part Category：	Diode	Samacsys Package Category：	Other
Samacsys Footprint Name：	NX6350EP33-AZ-3	Samacsys Released Date：	2020-01-03 22:13:10
Is Samacsys：	N	最大正向电流：	0.12 A
最大正向电压：	1.8 V	安装特点：	THROUGH HOLE MOUNT
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：	-5 °C
光电设备类型：	LASER DIODE	峰值波长：	1330 nm
最长响应时间：	5e-11 s	半导体材料：	InGaAs
子类别：	Laser Diodes	表面贴装：	NO
Base Number Matches：	1

NX6350EP33-AZ 数据手册

A Business Partner of Renesas Electronics Corporation.

Preliminary

NX6350EP Series

Data Sheet

LASER DIODE

R08DS0066EJ0100

Rev.1.00

1 270/1 290/1 310/1 330 nm AlGaInAs MQW-DFB LASER DIODE

FOR 40GBASE-LR4 APPLICATION

Aug 14, 2012

DESCRIPTION

The NX6350EP series is a 1 270/1 290/1 310/1 330 nm Multiple Quantum

Well (MQW) structured Distributed Feed-Back (DFB) laser diode with

InGaAs monitor PIN-PD.

APPLICATIONS

•

40GBASE-LR4

Bi-Directional 10G SFP+ (CPRI,10G-Ethernet)

FEATURES

•

Optical output power

Low threshold current

Differential efficiency

Wide operating temperature range

InGaAs monitor PIN-PD

CAN package

P_O= 8.5 mW

I_th= 8 mA

η_d= 0.35 W/A

T_C= −5 to +85°C

φ5.6 mm

6.2 mm

Focal point

R08DS0066EJ0100 Rev.1.00

Aug 14, 2012

Page 1 of 5

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与NX6350EP33-AZ相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
NX6350GP	CEL	获取价格	1 270/1 290/1 310/1 330 nm AlGaInAs MQW-DFB LASER DIODE
NX6350GP27-AZ	CEL	获取价格	1 270/1 290/1 310/1 330 nm AlGaInAs MQW-DFB LASER DIODE
NX6350GP29	RENESAS	获取价格	FIBER OPTIC DFB LASER DIODE EMITTER, 1285-1298nm, THROUGH HOLE MOUNT, CAN, CAN PACKAGE-4
NX6350GP29-AZ	CEL	获取价格	1 270/1 290/1 310/1 330 nm AlGaInAs MQW-DFB LASER DIODE
NX6350GP31-AZ	CEL	获取价格	1 270/1 290/1 310/1 330 nm AlGaInAs MQW-DFB LASER DIODE
NX6350GP33-AZ	CEL	获取价格	1 270/1 290/1 310/1 330 nm AlGaInAs MQW-DFB LASER DIODE
NX6351GP	CEL	获取价格	1 270/1 290/1 310/1 330/1 350 nm AlGaInAs MQW-DFB LASER DIODE FOR 9.8Gbps CPRI, 10G Ethern
NX6351GP27-AZ	CEL	获取价格	1 270/1 290/1 310/1 330/1 350 nm AlGaInAs MQW-DFB LASER DIODE FOR 9.8Gbps CPRI, 10G Ethern
NX6351GP29-AZ	CEL	获取价格	1 270/1 290/1 310/1 330/1 350 nm AlGaInAs MQW-DFB LASER DIODE FOR 9.8Gbps CPRI, 10G Ethern
NX6351GP31-AZ	CEL	获取价格	1 270/1 290/1 310/1 330/1 350 nm AlGaInAs MQW-DFB LASER DIODE FOR 9.8Gbps CPRI, 10G Ethern