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NX6350GP29

更新时间： 2024-01-24 20:17:52

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瑞萨 - RENESAS		光纤
页数	文件大小	规格书
7页	122K
描述
FIBER OPTIC DFB LASER DIODE EMITTER, 1285-1298nm, THROUGH HOLE MOUNT, CAN, CAN PACKAGE-4

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NX6350GP29 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	CAN
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.84
主体长度或直径：	5.6 mm	最长下降时间：	0.05 ns
光纤设备类型：	DFB LASER DIODE EMITTER	安装特点：	THROUGH HOLE MOUNT
最大工作波长：	1298 nm	最小工作波长：	1285 nm
标称工作波长：	1290 nm	封装形式：	CAN
上升时间：	0.05 ns	标称供电电压：	2 V
表面贴装：	NO	最小阈值电流：	8 mA
传输类型：	DIGITAL	Base Number Matches：	1

NX6350GP29 数据手册

Data Sheet

NX6350GP Series

LASER DIODE

R08DS0065EJ0100

Rev.1.00

1 270/1 290/1 310/1 330 nm AlGaInAs MQW-DFB LASER DIODE

FOR 40GBASE-LR4 & 10 Gb/s E-PON ONU APPLICATION

Jul 05, 2012

DESCRIPTION

The NX6350GP series is a 1 270/1 290/1 310/1 330 nm Multiple Quantum

Well (MQW) structured Distributed Feed-Back (DFB) laser diode with

InGaAs monitor PIN-PD.

APPLICATIONS

•

40GBASE-LR4

10 Gb/s E-PON ONU

Bi-Directional 10G SFP+ (CPRI,10G-Ethernet)

FEATURES

•

Optical output power

Low threshold current

Differential efficiency

Wide operating temperature range

InGaAs monitor PIN-PD

CAN package

P_O= 8.5 mW

I_th= 8 mA

η_d= 0.35 W/A

T_C= −5 to +85°C

φ 5.6 mm

7.5 mm

Focal point

R08DS0065EJ0100 Rev.1.00

Jul 05, 2012

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与NX6350GP29相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
NX6350GP29-AZ	CEL	获取价格	1 270/1 290/1 310/1 330 nm AlGaInAs MQW-DFB LASER DIODE
NX6350GP31-AZ	CEL	获取价格	1 270/1 290/1 310/1 330 nm AlGaInAs MQW-DFB LASER DIODE
NX6350GP33-AZ	CEL	获取价格	1 270/1 290/1 310/1 330 nm AlGaInAs MQW-DFB LASER DIODE
NX6351GP	CEL	获取价格	1 270/1 290/1 310/1 330/1 350 nm AlGaInAs MQW-DFB LASER DIODE FOR 9.8Gbps CPRI, 10G Ethern
NX6351GP27-AZ	CEL	获取价格	1 270/1 290/1 310/1 330/1 350 nm AlGaInAs MQW-DFB LASER DIODE FOR 9.8Gbps CPRI, 10G Ethern
NX6351GP29-AZ	CEL	获取价格	1 270/1 290/1 310/1 330/1 350 nm AlGaInAs MQW-DFB LASER DIODE FOR 9.8Gbps CPRI, 10G Ethern
NX6351GP31-AZ	CEL	获取价格	1 270/1 290/1 310/1 330/1 350 nm AlGaInAs MQW-DFB LASER DIODE FOR 9.8Gbps CPRI, 10G Ethern
NX6351GP33-AZ	CEL	获取价格	1 270/1 290/1 310/1 330/1 350 nm AlGaInAs MQW-DFB LASER DIODE FOR 9.8Gbps CPRI, 10G Ethern
NX6351GP35-AZ	CEL	获取价格	1 270/1 290/1 310/1 330/1 350 nm AlGaInAs MQW-DFB LASER DIODE FOR 9.8Gbps CPRI, 10G Ethern
NX6352GP	CEL	获取价格	LASER DIODE 1 270/1 290/1 310/1 330/1 350 nm AlGaInAs MQW-DFB LASER DIODE