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NX6350GP33-AZ

更新时间： 2024-01-16 15:05:36

品牌	Logo	应用领域
CEL		光电半导体
页数	文件大小	规格书
6页	903K
描述
1 270/1 290/1 310/1 330 nm AlGaInAs MQW-DFB LASER DIODE

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NX6350GP33-AZ 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.59
最大正向电流：	0.12 A	最大正向电压：	2 V
安装特点：	THROUGH HOLE MOUNT	最高工作温度：	85 °C
最低工作温度：	-5 °C	光电设备类型：	LASER DIODE
峰值波长：	1330 nm	最长响应时间：	5e-11 s
半导体材料：	InGaAs	子类别：	Laser Diodes
表面贴装：	NO	Base Number Matches：	1

NX6350GP33-AZ 数据手册

A Business Partner of Renesas Electronics Corporation.

NX6350GP Series

Data Sheet

LASER DIODE

R08DS0065EJ0100

1 270/1 290/1 310/1 330 nm AlGaInAs MQW-DFB LASER DIODE

FOR 40GBASE-LR4 & 10 Gb/s E-PON ONU APPLICATION

Rev.1.00

Jul 05, 2012

DESCRIPTION

The NX6350GP series is a 1 270/1 290/1 310/1 330 nm Multiple Quantum

Well (MQW) structured Distributed Feed-Back (DFB) laser diode with

InGaAs monitor PIN-PD.

APPLICATIONS

•

40GBASE-LR4

10 Gb/s E-PON ONU

Bi-Directional 10G SFP+ (CPRI,10G-Ethernet)

FEATURES

•

Optical output power

Low threshold current

Differential efficiency

Wide operating temperature range

InGaAs monitor PIN-PD

CAN package

P_O= 8.5 mW

I_th= 8 mA

η_d= 0.35 W/A

T_C= −5 to +85°C

φ5.6 mm

7.5 mm

Focal point

R08DS0065EJ0100 Rev.1.00

Jul 05, 2012

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
NX6351GP	CEL	获取价格	1 270/1 290/1 310/1 330/1 350 nm AlGaInAs MQW-DFB LASER DIODE FOR 9.8Gbps CPRI, 10G Ethern
NX6351GP27-AZ	CEL	获取价格	1 270/1 290/1 310/1 330/1 350 nm AlGaInAs MQW-DFB LASER DIODE FOR 9.8Gbps CPRI, 10G Ethern
NX6351GP29-AZ	CEL	获取价格	1 270/1 290/1 310/1 330/1 350 nm AlGaInAs MQW-DFB LASER DIODE FOR 9.8Gbps CPRI, 10G Ethern
NX6351GP31-AZ	CEL	获取价格	1 270/1 290/1 310/1 330/1 350 nm AlGaInAs MQW-DFB LASER DIODE FOR 9.8Gbps CPRI, 10G Ethern
NX6351GP33-AZ	CEL	获取价格	1 270/1 290/1 310/1 330/1 350 nm AlGaInAs MQW-DFB LASER DIODE FOR 9.8Gbps CPRI, 10G Ethern
NX6351GP35-AZ	CEL	获取价格	1 270/1 290/1 310/1 330/1 350 nm AlGaInAs MQW-DFB LASER DIODE FOR 9.8Gbps CPRI, 10G Ethern
NX6352GP	CEL	获取价格	LASER DIODE 1 270/1 290/1 310/1 330/1 350 nm AlGaInAs MQW-DFB LASER DIODE
NX6352GP27-AZ	CEL	获取价格	LASER DIODE 1 270/1 290/1 310/1 330/1 350 nm AlGaInAs MQW-DFB LASER DIODE
NX6352GP29-AZ	CEL	获取价格	LASER DIODE 1 270/1 290/1 310/1 330/1 350 nm AlGaInAs MQW-DFB LASER DIODE
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