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Datasheet > 晶体管 > 小信号场效应晶体管> NX2301P
NX2301P PDF预览

NX2301P

更新时间： 2024-11-02 12:26:35
品牌 Logo 应用领域
恩智浦 - NXP 晶体小信号场效应晶体管开关光电二极管
页数 文件大小 规格书
16页 370K
描述
20 V, 2 A P-channel Trench MOSFET

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NX2301P 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Transferred
零件包装代码：SOT-23包装说明：PLASTIC PACKAGE-3
针数：3Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99风险等级：5.73
Is Samacsys：N配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：20 V最大漏源导通电阻：0.19 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-236AB
JESD-30 代码：R-PDSO-G3JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：P-CHANNEL
认证状态：Not Qualified表面贴装：YES
端子面层：TIN端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：30
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

NX2301P 数据手册

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NX2301P  
20 V, 2 A P-channel Trench MOSFET  
Rev. 1 — 26 October 2010  
Product data sheet  
1. Product profile  
1.1 General description  
P-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small  
SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using  
Trench MOSFET technology.  
1.2 Features and benefits  
„ 1.8 V RDSon rated for Low Voltage Gate Drive  
„ Very fast switching  
„ Trench MOSFET technology  
„ AEC-Q101 qualified  
1.3 Applications  
„ Relay driver  
„ High-speed line driver  
„ High-side loadswitch  
„ Switching circuits  
1.4 Quick reference data  
Table 1.  
Quick reference data  
Symbol Parameter  
Conditions  
Tamb = 25 °C  
Tamb = 25 °C  
Min  
Typ  
Max  
−20  
±8  
Unit  
V
VDS  
VGS  
ID  
drain-source voltage  
-
-
-
-
-
-
gate-source voltage  
drain current  
V
[1]  
[2]  
Tamb = 25 °C;  
VGS = −4.5 V  
−2  
A
RDSon  
drain-source on-state  
resistance  
Tj = 25 °C;  
-
100  
120  
mΩ  
VGS = −4.5 V;  
ID = −1 A  
[1] Device mounted on an FR4 PCB, single-sided copper, tin-plated, mounting pad for drain 6 cm2, t ≤ 5 s.  
[2] Pulse test: tp ≤ 300 μs; δ ≤ 0.01.  
1234567...16

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NX2301P 替代型号

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