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NUP2105LT3G PDF预览

NUP2105LT3G

更新时间： 2024-01-16 12:34:53
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 瞬态抑制器二极管光电二极管局域网
页数 文件大小 规格书
8页 61K
描述
Dual Line CAN Bus Protector

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NUP2105LT3G 技术参数

是否Rohs认证：符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：SOT-23包装说明：R-PDSO-G3
针数：3Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.50
风险等级：5.46Is Samacsys：N
其他特性：LOW CAPACITANCE最大击穿电压：32 V
最小击穿电压：26.2 V击穿电压标称值：29.1 V
最大钳位电压：44 V配置：COMMON ANODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料：SILICON二极管类型：TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JEDEC-95代码：TO-236ABJESD-30 代码：R-PDSO-G3
JESD-609代码：e3最大非重复峰值反向功率耗散：350 W
元件数量：2端子数量：3
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性：BIDIRECTIONAL认证状态：Not Qualified
最大重复峰值反向电压：24 V子类别：Transient Suppressors
表面贴装：YES技术：AVALANCHE
端子面层：Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：40
Base Number Matches：1

NUP2105LT3G 数据手册

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NUP2105L  
MAXIMUM RATINGS (T = 25°C, unless otherwise specified)  
J
Symbol  
Rating  
Value  
Unit  
PPK  
Peak Power Dissipation  
W
8 x 20 ms Double Exponential Waveform (Note 1)  
Operating Junction Temperature Range  
Storage Temperature Range  
350  
T
J
T
J
T
L
−40 to 125  
−55 to 150  
260  
°C  
°C  
°C  
Lead Solder Temperature (10 s)  
ESD  
Human Body model (HBM)  
Machine Model (MM)  
IEC 61000−4−2 Specification (Contact)  
16  
400  
30  
kV  
V
kV  
Maximum ratings are those values beyond which device damage can occur. Maximum ratings applied to the device are individual stress limit  
values (not normal operating conditions) and are not valid simultaneously. If these limits are exceeded, device functional operation is not im-  
plied, damage may occur and reliability may be affected.  
1. Non−repetitive current pulse per Figure 1.  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T = 25°C, unless otherwise specified)  
J
Symbol  
Parameter  
Reverse Working Voltage  
Breakdown Voltage  
Test Conditions  
Min  
24  
Typ  
Max  
Unit  
V
V
RWM  
(Note 2)  
I = 1 mA (Note 3)  
V
BR  
26.2  
32  
100  
40  
V
T
I
R
Reverse Leakage Current  
Clamping Voltage  
V
RWM  
= 24 V  
15  
nA  
V
V
C
I
PP  
= 5 A (8 x 20 ms Waveform)  
(Note 4)  
V
C
Clamping Voltage  
I
= 8 A (8 x 20 ms Waveform)  
44  
V
PP  
(Note 4)  
I
Maximum Peak Pulse Current  
Capacitance  
8 x 20 ms Waveform (Note 4)  
8.0  
30  
A
PP  
CJ  
V
R
= 0 V, f = 1 MHz (Line to GND)  
pF  
2. TVS devices are normally selected according to the working peak reverse voltage (V  
or continuous peak operating voltage level.  
), which should be equal or greater than the DC  
RWM  
3. V is measured at pulse test current I .  
BR  
T
4. Pulse waveform per Figure 1.  
http://onsemi.com  
2
 
12345678

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NUP2105LT3G 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
SZNUP2105LT3G ONSEMI

完全替代

 CAN 总线保护器，双线
SZNUP2105LT1G ONSEMI

完全替代

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