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NUP1301U

更新时间： 2024-11-20 11:16:11

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安世 - NEXPERIA		局域网光电二极管
页数	文件大小	规格书
12页	269K
描述
Ultra low capacitance ESD protection arrayProduction

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NUP1301U 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	R-PDSO-G3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.50
风险等级：	5.71	最小击穿电压：	100 V
配置：	SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE	JESD-30 代码：	R-PDSO-G3
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
最大非重复峰值反向功率耗散：	200 W	元件数量：	2
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性：	UNIDIRECTIONAL	最大功率耗散：	0.2 W
表面贴装：	YES	技术：	AVALANCHE
端子面层：	Tin (Sn)	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	30
Base Number Matches：	1

NUP1301U 数据手册

NUP1301U

Ultra low capacitance ESD protection array

14 April 2023

Product data sheet

1. General description

Ultra low capacitance ElectroStatic Discharge (ESD) protection array in a small SOT323 (SC-70)

Surface-Mounted Device (SMD) plastic package designed to protect one signal line in rail-to-rail

configuration from the damage caused by ESD and other transients.

2. Features and benefits

•

ESD protection of one signal line (rail-to-rail configuration)

•

Ultra low diode capacitance: C_d= 0.6 pF

ESD protection up to 30 kV

IEC 61000-4-2; level 4 (ESD)

IEC 61000-4-5 (surge); I_PP= 11 A

3. Applications

•

Telecommunication networks

Video line protection

Microcontroller protection

I²C-bus protection

Antenna power supply

Analog audio

Class-D amplifier

4. Quick reference data

Table 1. Quick reference data

Symbol

Parameter

Conditions

Min

Typ

Max

Unit

V_RRM

repetitive peak reverse

voltage

C_d

I_R

diode capacitance

reverse current

f = 1 MHz; V_R= 0 V; T_amb= 25 °C

V_R= 80 V; T_amb= 25 °C

0.6

0.75

100

12 3 4 5 6 7...12

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