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NUP1105LT3G

更新时间： 2024-01-13 04:54:46
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI /
页数 文件大小 规格书
6页 45K
描述
Single Line CAN/LIN Bus Protector

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NUP1105LT3G 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：End Of Life
零件包装代码：SOT-23包装说明：TO-236, 3 PIN
针数：3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.50
风险等级：5.62最大击穿电压：28.4 V
最小击穿电压：25.7 V击穿电压标称值：27.05 V
最大钳位电压：44 V配置：COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料：SILICON二极管类型：TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JEDEC-95代码：TO-236ABJESD-30 代码：R-PDSO-G3
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
最大非重复峰值反向功率耗散：350 W元件数量：2
端子数量：3封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性：BIDIRECTIONAL
认证状态：Not Qualified最大重复峰值反向电压：24 V
子类别：Transient Suppressors表面贴装：YES
技术：AVALANCHE端子面层：Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：40Base Number Matches：1

NUP1105LT3G 数据手册

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NUP1105L  
MAXIMUM RATINGS (T = 25°C, unless otherwise specified)  
J
Symbol  
Rating  
Value  
Unit  
PPK  
Peak Power Dissipation  
W
8 x 20 ms Double Exponential Waveform (Note 1)  
Operating Junction Temperature Range  
Storage Temperature Range  
350  
T
J
T
J
T
L
−40 to 125  
−55 to 150  
260  
°C  
°C  
°C  
Lead Solder Temperature (10 s)  
ESD  
Human Body model (HBM)  
Machine Model (MM)  
IEC 61000−4−2 Specification (Contact)  
16  
400  
30  
kV  
V
kV  
Maximum ratings are those values beyond which device damage can occur. Maximum ratings applied to the device are individual stress limit  
values (not normal operating conditions) and are not valid simultaneously. If these limits are exceeded, device functional operation is not im-  
plied, damage may occur and reliability may be affected.  
1. Nonrepetitive current pulse per Figure 1.  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T = 25°C, unless otherwise specified)  
J
Symbol  
Parameter  
Reverse Working Voltage  
Breakdown Voltage  
Reverse Leakage Current  
Clamping Voltage  
Test Conditions  
Min  
24  
Typ  
Max  
Unit  
V
V
RWM  
(Note 2)  
I = 1 mA (Note 3)  
V
BR  
25.7  
28.4  
100  
40  
V
T
I
R
V
RWM  
= 24 V  
15  
nA  
V
V
I
PP  
I
PP  
= 5 A (8 x 20 ms Waveform) (Note 4)  
= 8 A (8 x 20 ms Waveform) (Note 4)  
C
C
V
Clamping Voltage  
44  
V
I
Maximum Peak Pulse Current  
Capacitance  
8 x 20 ms Waveform (Note 4)  
8.0  
A
PP  
CJ  
V
R
V
R
= 0 V, f = 1 MHz (Anode to GND)  
= 0 V, f = 1 MHz (Anode to Anode)  
60  
30  
pF  
2. TVS devices are normally selected according to the working peak reverse voltage (V  
or continuous peak operating voltage level.  
), which should be equal or greater than the DC  
RWM  
3. V is measured at pulse test current I .  
BR  
T
4. Pulse waveform per Figure 1.  
http://onsemi.com  
2
 
123456

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