NUP1105LT3G

更新时间： 2024-01-23 12:22:21

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6页	45K
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Single Line CAN/LIN Bus Protector

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NUP1105LT3G 技术参数

是否无铅：	不含铅	生命周期：	End Of Life
零件包装代码：	SOT-23	包装说明：	TO-236, 3 PIN
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.50
风险等级：	5.62	最大击穿电压：	28.4 V
最小击穿电压：	25.7 V	击穿电压标称值：	27.05 V
最大钳位电压：	44 V	配置：	COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JEDEC-95代码：	TO-236AB	JESD-30 代码：	R-PDSO-G3
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
最大非重复峰值反向功率耗散：	350 W	元件数量：	2
端子数量：	3	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性：	BIDIRECTIONAL
认证状态：	Not Qualified	最大重复峰值反向电压：	24 V
子类别：	Transient Suppressors	表面贴装：	YES
技术：	AVALANCHE	端子面层：	Tin (Sn)
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	40	Base Number Matches：	1

NUP1105LT3G 数据手册

NUP1105L

TYPICAL PERFORMANCE CURVES

(T = 25°C unless otherwise noted)

12.0

110

100

WAVEFORM

PARAMETERS

t = 8 ms

PULSE WAVEFORM

8 x 20 ms per Figure 1

10.0

8.0

6.0

4.0

t = 20 ms

c−t

t = I /2

2.0

0.0

t, TIME (ms)

V , CLAMPING VOLTAGE (V)

Figure 1. Pulse Waveform, 8 × 20 ms

Figure 2. Clamping Voltage vs Peak Pulse Current

−60

−10

140

190

−60

−10

140

190

TEMPERATURE (°C)

Figure 3. Typical Leakage vs. Temperature

Figure 4. Typical V_Z@ 1.0 mA vs. Temperature

25°C

BIAS

Figure 5. Capacitance vs. V_BIAS

http://onsemi.com

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