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NUP1301-235

更新时间： 2024-02-08 16:46:50

品牌	Logo	应用领域
恩智浦 - NXP		局域网光电二极管电视
页数	文件大小	规格书
13页	108K
描述
DIODE 220 W, UNIDIRECTIONAL, 2 ELEMENT, SILICON, TVS DIODE, TO-236AB, PLASTIC, SMD, 3 PIN, Transient Suppressor

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技术参数
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NUP1301-235 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	R-PDSO-G3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.50	风险等级：	5.74
最小击穿电压：	100 V	配置：	SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JEDEC-95代码：	TO-236AB	JESD-30 代码：	R-PDSO-G3
最大非重复峰值反向功率耗散：	220 W	元件数量：	2
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
最低工作温度：	-55 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性：	UNIDIRECTIONAL	最大功率耗散：	0.25 W
参考标准：	AEC-Q101; IEC-60134; IEC-61000-4-2, 4-5	最大重复峰值反向电压：	80 V
表面贴装：	YES	技术：	AVALANCHE
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
Base Number Matches：	1

NUP1301-235 数据手册

NUP1301

Ultra low capacitance ESD protection array

Rev. 01 — 11 May 2009

Product data sheet

1. Product proﬁle

1.1 General description

Ultra low capacitance ElectroStatic Discharge (ESD) protection array in a small

SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package designed to

protect one signal line in rail-to-rail conﬁguration from the damage caused by ESD

and other transients.

1.2 Features

I ESD protection of one signal line (rail-to-rail conﬁguration)

I Ultra low diode capacitance: C_d= 0.6 pF

I Very low reverse leakage current: ≤ 30 nA

I ESD protection up to 30 kV

I IEC 61000-4-2; level 4 (ESD)

I IEC 61000-4-5 (surge); I_PP= 11 A at t_p= 8/20 µs

I AEC-Q101 qualiﬁed

1.3 Applications

I Telecommunication networks

I Video line protection

I Microcontroller protection

I I²C-bus protection

I Antenna power supply

I Analog audio

I Class-D ampliﬁer

1.4 Quick reference data

Table 1.

Quick reference data

T_amb= 25 °C unless otherwise speciﬁed.

Symbol

Per diode

V_RRM

Parameter

Conditions

Min

Typ

Max

Unit

repetitive peak reverse

voltage

C_d

I_R

diode capacitance

f = 1 MHz;

V_R= 0 V

0.6

0.75

100

reverse current

V_R= 80 V

12 3 4 5 6 7...13

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