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NTE102 PDF预览

NTE102

更新时间： 2024-11-08 22:28:47
品牌 Logo 应用领域
NTE 晶体驱动器小信号双极晶体管开关
页数 文件大小 规格书
2页 27K
描述
Germanium Complementary Transistors Power Output, Driver

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NTE102 技术参数

生命周期：Active零件包装代码：TO-5
包装说明：TO-5, 3 PIN针数：3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.21.00.95风险等级：1.79
Is Samacsys：N最大集电极电流 (IC)：0.15 A
集电极-发射极最大电压：16 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：24JEDEC-95代码：TO-5
JESD-30 代码：O-MBCY-W3元件数量：1
端子数量：3封装主体材料：METAL
封装形状：ROUND封装形式：CYLINDRICAL
极性/信道类型：PNP最大功率耗散 (Abs)：0.15 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：NO端子形式：WIRE
端子位置：BOTTOM晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：GERMANIUM标称过渡频率 (fT)：2 MHz
Base Number Matches：1

NTE102 数据手册

 浏览型号NTE102的Datasheet PDF文件第2页 
NTE102 (PNP) & NTE103 (NPN)  
Germanium Complementary Transistors  
Power Output, Driver  
Description:  
The NTE102 (PNP) and NTE103 (NPN) are Germanium complementary transistors designed for me-  
dium–speed saturated switching applications.  
Features:  
D Low Collector–Emitter Saturation Voltage:  
VCE(sat) = 200mV Max @ IC = 24mA  
D High Emitter–Base Breakdown Voltage:  
V(BR)EBO = 12V Min @ IE = 20µA  
Absolute Maximum Ratings:  
Collector–Base Voltage, VCBO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 25V  
Collector–Emitter Voltage, VCES . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 24V  
Emitter–Base Voltage, VEBO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 12V  
Continuous Collector Current, IC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 150mA  
Emitter Current, IE . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 100mA  
Total Device Dissipation (TA = +25°C), PD . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 150mW  
Derate Above +25° . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2mW/°C  
Total Device Dissipation (TC = +25°C), PD . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 300mW  
Derate Above +25° . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4mW/°C  
Operating Junction Temperature Range, TJ . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –65° to +100°C  
Storage Junction Temperature Range, Tstg . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –65° to +100°C  
Electrical Characteristics: (TA = +25°C unless otherwise specified)  
Parameter  
Symbol  
Test Conditions  
Min  
Typ Max Unit  
OFF Characteristics  
Collector–Base Breakdown Voltage  
Emitter–Base Breakdown Voltage  
Punch–Through Voltage  
V
I = 20µA, I = 0  
25  
12  
24  
–
–
–
–
–
V
V
(BR)CBO  
C
E
V
I = 20µA, I = 0  
(BR)EBO  
E
C
V
PT  
V
EBfl  
= 1V, Note 1  
–
–
V
Collector Cutoff Current  
I
V
CB  
V
CB  
V
EB  
= 12V, I = 0  
0.8  
20  
0.5  
5.0  
90  
2.5  
µA  
µA  
µA  
CBO  
E
= 12V, I = 0, T = +80°C  
–
E
A
Emitter Cutoff Current  
I
= 2.5V, I = 0  
–
EBO  
C
Note 1. VPT is determined by measuring the Emitter–Base floating potential VEBfl, using a voltmeter  
with 11MΩ minimum input impedance. The Collector–Base Voltage, VCB, is increased until  
VEBfl = 1V; this value of VCB = (VPT + 1).  
12

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