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NSR0140

更新时间： 2024-01-03 02:31:39
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 肖特基二极管光电二极管
页数 文件大小 规格书
3页 44K
描述
Schottky Barrier Diode

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NSR0140 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete包装说明：R-PDSO-F2
针数：2Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.70
风险等级：5.73Is Samacsys：N
配置：SINGLE二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODEJESD-30 代码：R-PDSO-F2
元件数量：1端子数量：2
最高工作温度：125 °C最低工作温度：-55 °C
最大输出电流：0.07 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED最大功率耗散：0.1 W
认证状态：Not Qualified最大重复峰值反向电压：40 V
表面贴装：YES技术：SCHOTTKY
端子形式：FLAT端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIEDBase Number Matches：1

NSR0140 数据手册

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NSR0140M2T5G  
Schottky Barrier Diode  
These Schottky barrier diodes are designed for high−speed  
switching applications, circuit protection, and voltage clamping.  
Extremely low forward voltage reduces conduction loss. Miniature  
surface mount package is excellent for hand−held and portable  
applications where space is limited.  
http://onsemi.com  
Features  
• Extremely Fast Switching Speed  
40 V SCHOTTKY  
BARRIER DIODE  
• Extremely Low Forward Voltage − 0.28 V (Typ) @ I = 1.0 mAdc  
F
• Low Reverse Current  
• Lead−Free Plating  
• Pb−Free Package is Available  
1
CATHODE  
2
ANODE  
MARKING  
DIAGRAM  
2
MAXIMUM RATINGS  
Rating  
Symbol  
Value  
40  
Unit  
V
1
7E MG  
SOD−723  
CASE 509AA  
PLASTIC  
Peak Reverse Voltage  
V
G
RM  
1
2
Reverse Voltage  
V
30  
V
R
Forward Continuous Current (DC)  
Peak Forward Surge Current  
I
30  
mA  
mA  
F
7E = Specific Device Code  
I
500  
FSM  
M
= Month Code  
G
= Pb−Free Package  
(Note: Microdot may be in either location)  
ESD Rating: Class 1C per Human Body Model  
Class A per Machine Model  
Stresses exceeding Maximum Ratings may damage the device. Maximum  
Ratings are stress ratings only. Functional operation above the Recommended  
Operating Conditions is not implied. Extended exposure to stresses above the  
Recommended Operating Conditions may affect device reliability.  
ORDERING INFORMATION  
Device  
Package  
Shipping†  
THERMAL CHARACTERISTICS  
NSR0140M2T5G SOD−723  
2 mm Pitch  
8000/Tape & Reel  
Characteristic  
Symbol  
Max  
Unit  
Total Device Dissipation FR−5 Board,  
P
100  
mW  
D
†For information on tape and reel specifications,  
including part orientation and tape sizes, please  
refer to our Tape and Reel Packaging Specifications  
Brochure, BRD8011/D.  
(Note 1) T = 25°C  
Derate above 25°C  
A
1.0  
mW/°C  
°C/W  
Thermal Resistance,  
Junction−to−Ambient  
R
q
JA  
1000  
Junction and Storage  
Temperature Range  
T , T  
−55 to +125  
°C  
J
stg  
1. FR−5 Minimum Pad.  
©
Semiconductor Components Industries, LLC, 2006  
1
Publication Order Number:  
March, 2006 − Rev. 0  
NSR0140/D  
 
123

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