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NS41256L45E/883

更新时间： 2024-02-21 13:38:08

品牌	Logo	应用领域
德州仪器 - TI		静态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
18页	41K
描述
32KX8 STANDARD SRAM, 45ns, CQCC32, 0.450 X 0.550 INCH, CERAMIC, LCC-32

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NS41256L45E/883 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	QCCN, LCC32,.45X.55
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	3A001.A.2.C
HTS代码：	8542.32.00.41	风险等级：	5.84
最长访问时间：	45 ns	I/O 类型：	COMMON
JESD-30 代码：	R-CQCC-N32	内存密度：	262144 bit
内存集成电路类型：	STANDARD SRAM	内存宽度：	8
功能数量：	1	端子数量：	32
字数：	32768 words	字数代码：	32000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	125 °C
最低工作温度：	-55 °C	组织：	32KX8
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码：	QCCN	封装等效代码：	LCC32,.45X.55
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	CHIP CARRIER
并行/串行：	PARALLEL	电源：	5 V
认证状态：	Not Qualified	筛选级别：	38535Q/M;38534H;883B
最大待机电流：	0.0005 A	最小待机电流：	2 V
子类别：	SRAMs	最大压摆率：	0.12 mA
最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V	最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)：	5 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	MILITARY
端子形式：	NO LEAD	端子节距：	1.27 mm
端子位置：	QUAD	Base Number Matches：	1

NS41256L45E/883 数据手册

MICROCIRCUIT DATA SHEET

MNNS41256L45-X REV 0A0

Electrical Characteristics

AC PARAMETERS: ELECTRICAL CHARACTERISTICS(Continued)

(The following conditions apply to all the following parameters, unless otherwise specified.)

AC: Vcc=5V +10%, TA=-55 C to +125 C, Input pulse levels=Gnd to 3.0V, Input rise and fall times=5nS, Input

timing reference levels=1.5V, Output reference levels=1.5V, Output load for 12-35nS speed grades=See

fig. 1 & 2.

PIN-

NAME

SUB-

SYMBOL

tLZWE

tHZWE

PARAMETER

CONDITIONS

NOTES

MIN

MAX UNIT

GROUPS

Write Disable to

Output in Low Z

4, 5

9, 10,

Write Enable to

Output in High Z

4, 5

9, 10,

AC PARAMETERS: Capacitance

(The following conditions apply to all the following parameters, unless otherwise specified.)

AC: TA=+25 C, f=1.0Mhz

Cin

Input Capacitance

9, 10,

Cout

Output

Capacitance

9, 10,

Data Retention Electrical Characteristics: DC

Vdr

Vcc for Retention

Data

1, 2,

Iccdr

Data Retention

CE>Vcc-0.2V, Vin>Vcc-0.2V or <0.2V,

500

750

1, 2,

Current (15-35nS) Vcc=2V

Data Retention

Current

CE>Vcc-0.2V, Vin>Vcc-0.2V or <0.2V,

Vcc=3V

1, 2,

Data Retention Electrical Characteristics: AC

tCDR

Chip Deselect to

Data Retention

Time

9, 10,

Operation

Recovery Time

tRC

9, 10,

Note 1: The device is continously selected. All the Chip Enables are held in their active

state.

Note 2: The address is valid prior to or coincident with the latest occuring Chip Enable.

Note 3: At any given temperature and voltage condition, tHZCE is less than tLZCE.

Note 4: This parameter is sampled.

Note 5: The parameter is tested with CL=5pF as shown in Figure 2. Transition is measured

+200mV from steady state voltage.

Note 6: Vil(Min)=-3.0V for pulse width less than 20nS.

Note 7: This parameter is determined by device characterization but is not production tested.

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
NS41256S15E/883	NSC	IC 32K X 8 STANDARD SRAM, 15 ns, CQCC32, 0.450 X 0.550 INCH, CERAMIC, LCC-32, Static RAM	获取价格
NS41256S15E/883	TI	32KX8 STANDARD SRAM, 15ns, CQCC32, 0.450 X 0.550 INCH, CERAMIC, LCC-32	获取价格
NS41256S15J-SMD	NSC	IC,SRAM,32KX8,CMOS,DIP,28PIN,CERAMIC	获取价格
NS41256S20E/883	TI	32KX8 STANDARD SRAM, 20ns, CQCC32, 0.450 X 0.550 INCH, CERAMIC, LCC-32	获取价格
NS41256S20E-SMD	TI	IC,SRAM,32KX8,CMOS,LLCC,32PIN,CERAMIC	获取价格
NS41256S20J/883	TI	32KX8 STANDARD SRAM, 20ns, CDIP28, 0.300 INCH, CERDIP-28	获取价格

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