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Datasheet > NS41256L45E/883
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NS41256L45E/883

更新时间： 2024-01-30 23:32:51
品牌 Logo 应用领域
德州仪器 - TI 静态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
18页 41K
描述
32KX8 STANDARD SRAM, 45ns, CQCC32, 0.450 X 0.550 INCH, CERAMIC, LCC-32

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NS41256L45E/883 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：QCCN, LCC32,.45X.55
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：3A001.A.2.C
HTS代码：8542.32.00.41风险等级：5.84
最长访问时间：45 nsI/O 类型：COMMON
JESD-30 代码：R-CQCC-N32内存密度：262144 bit
内存集成电路类型：STANDARD SRAM内存宽度：8
功能数量：1端子数量：32
字数：32768 words字数代码：32000
工作模式：ASYNCHRONOUS最高工作温度：125 °C
最低工作温度：-55 °C组织：32KX8
输出特性：3-STATE封装主体材料：CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码：QCCN封装等效代码：LCC32,.45X.55
封装形状：RECTANGULAR封装形式：CHIP CARRIER
并行/串行：PARALLEL电源：5 V
认证状态：Not Qualified筛选级别：38535Q/M;38534H;883B
最大待机电流：0.0005 A最小待机电流：2 V
子类别：SRAMs最大压摆率：0.12 mA
最大供电电压 (Vsup)：5.5 V最小供电电压 (Vsup)：4.5 V
标称供电电压 (Vsup)：5 V表面贴装：YES
技术：CMOS温度等级：MILITARY
端子形式：NO LEAD端子节距：1.27 mm
端子位置：QUADBase Number Matches：1

NS41256L45E/883 数据手册

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MICROCIRCUIT DATA SHEET  
MNNS41256L45-X REV 0A0  
Electrical Characteristics  
AC PARAMETERS: ELECTRICAL CHARACTERISTICS  
(The following conditions apply to all the following parameters, unless otherwise specified.)  
AC: Vcc=5V +10%, TA=-55 C to +125 C, Input pulse levels=Gnd to 3.0V, Input rise and fall times=5nS, Input  
timing reference levels=1.5V, Output reference levels=1.5V, Output load for 12-35nS speed grades=See  
fig. 1 & 2.  
PIN-  
NAME  
SUB-  
SYMBOL  
tRC  
PARAMETER  
CONDITIONS  
NOTES  
MIN  
45  
MAX UNIT  
GROUPS  
Read Cycle Time  
nS  
9, 10,  
11  
tAA  
Address Access  
Time  
45  
nS  
nS  
nS  
nS  
nS  
nS  
nS  
nS  
nS  
nS  
nS  
nS  
nS  
nS  
nS  
nS  
nS  
nS  
9, 10,  
11  
tACE  
tOH  
Chip Enable  
Access Time  
45  
10  
9, 10,  
11  
Output Hold from  
Address Change  
3
5
9, 10,  
11  
tLZCE  
tHZCE  
tPU  
Chip Enable to  
Output in Low Z  
3,  
9, 10,  
11  
4, 5  
Chip Disable to  
Output in High Z  
3,  
4, 5  
9, 10,  
11  
Chip Enable to  
Power Up Time  
4
0
0
9, 10,  
11  
tPD  
Chip Disable to  
Power Down Time  
4
45  
17  
9, 10,  
11  
tAOE  
tLZOE  
tHZOE  
tWC  
Output Enable  
Access Time  
9, 10,  
11  
Output Enable to  
Output in Low Z  
4, 5  
4, 5  
9, 10,  
11  
Output Disable to  
Output in High Z  
10  
9, 10,  
11  
Write Cycle Time  
45  
25  
25  
0
9, 10,  
11  
tCW  
Chip Enable to  
end of Write  
9, 10,  
11  
tAW  
Address Valid to  
end of Write  
9, 10,  
11  
tAS  
Address Setup  
Time  
9, 10,  
11  
tAH  
Address Hold from  
end of Write  
0
9, 10,  
11  
tWP  
Write Pulse Width  
Data Setup Time  
Data Hold Time  
25  
15  
0
9, 10,  
11  
tDS  
9, 10,  
11  
tDH  
9, 10,  
11  
5
12345678...18

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与NS41256L45E/883相关器件

型号 品牌 描述 获取价格 数据表
NS41256S15E/883 NSC IC 32K X 8 STANDARD SRAM, 15 ns, CQCC32, 0.450 X 0.550 INCH, CERAMIC, LCC-32, Static RAM

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NS41256S15E/883 TI 32KX8 STANDARD SRAM, 15ns, CQCC32, 0.450 X 0.550 INCH, CERAMIC, LCC-32

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