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NS41024L20E-SMD

更新时间: 2024-01-11 17:50:13
品牌 Logo 应用领域
德州仪器 - TI 静态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
16页 47K
描述
NS41024L20E-SMD

NS41024L20E-SMD 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
包装说明:QCCN, LCC32,.45X.55Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.92最长访问时间:20 ns
I/O 类型:COMMONJESD-30 代码:R-XQCC-N32
JESD-609代码:e0内存密度:1048576 bit
内存集成电路类型:STANDARD SRAM内存宽度:8
端子数量:32字数:131072 words
字数代码:128000工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:125 °C最低工作温度:-55 °C
组织:128KX8输出特性:3-STATE
封装主体材料:CERAMIC封装代码:QCCN
封装等效代码:LCC32,.45X.55封装形状:RECTANGULAR
封装形式:CHIP CARRIER并行/串行:PARALLEL
电源:5 V认证状态:Not Qualified
筛选级别:38535Q/M;38534H;883B最大待机电流:0.001 A
最小待机电流:2 V子类别:SRAMs
最大压摆率:0.14 mA标称供电电压 (Vsup):5 V
表面贴装:YES技术:CMOS
温度等级:MILITARY端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:NO LEAD端子节距:1.27 mm
端子位置:QUADBase Number Matches:1

NS41024L20E-SMD 数据手册

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AN00020A  
Read Cycle #1  
Notes : 4,5,6 apply  
t
RC  
ADDR  
t
AA  
t
OH  
D
DATA VALID  
PREVIOUS DATA VALID  
OUT  
NS41024  
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