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NS41024S55E-SMD

更新时间: 2024-01-26 01:11:27
品牌 Logo 应用领域
美国国家半导体 - NSC 静态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
16页 42K
描述
IC,SRAM,128KX8,CMOS,LLCC,32PIN,CERAMIC

NS41024S55E-SMD 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:QCCN, LCC32,.45X.55
Reach Compliance Code:unknown风险等级:5.84
最长访问时间:55 nsI/O 类型:COMMON
JESD-30 代码:R-XQCC-N32内存密度:1048576 bit
内存集成电路类型:STANDARD SRAM内存宽度:8
端子数量:32字数:131072 words
字数代码:128000工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:125 °C最低工作温度:-55 °C
组织:128KX8输出特性:3-STATE
封装主体材料:CERAMIC封装代码:QCCN
封装等效代码:LCC32,.45X.55封装形状:RECTANGULAR
封装形式:CHIP CARRIER并行/串行:PARALLEL
电源:5 V认证状态:Not Qualified
筛选级别:38535Q/M;38534H;883B最大待机电流:0.01 A
最小待机电流:4.5 V子类别:SRAMs
最大压摆率:0.125 mA标称供电电压 (Vsup):5 V
表面贴装:YES技术:CMOS
温度等级:MILITARY端子形式:NO LEAD
端子节距:1.27 mm端子位置:QUAD
Base Number Matches:1

NS41024S55E-SMD 数据手册

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MICROCIRCUIT DATA SHEET  
Original Creation Date: 11/28/95  
Last Update Date: 12/20/96  
MDNS41024S55-X REV 0B0  
Last Major Revision Date: 11/28/95  
1 Megabit Static RAM (128K x 8 bit)  
General Description  
NS41024S55 is a high performance, standard power version CMOS static RAM organized as  
131,072 X 8 bits with 55nS address to access time. The NS41024 operates from a single +5V  
power supply and all the inputs and outputs are fully TTL compatible.  
Industry Part Number  
NS Part Numbers  
NS41024S55  
NS41024S55E-SMD  
Prime Die  
PDM41024W  
Controlling Document  
5962-8959834MMA  
Processing  
Subgrp Description  
Temp (oC)  
MIL-STD-883, Method 5004  
1
Static tests at  
+25  
2
Static tests at  
+125  
-55  
3
Static tests at  
4
Dynamic tests at  
Dynamic tests at  
Dynamic tests at  
Functional tests at  
Functional tests at  
Functional tests at  
Switching tests at  
Switching tests at  
Switching tests at  
+25  
Quality Conformance Inspection  
5
+125  
-55  
6
MIL-STD-883, Method 5005  
7
+25  
8A  
8B  
9
+125  
-55  
+25  
10  
11  
+125  
-55  
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