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Datasheet > 二极管 > 整流二极管> NRVBB1645T4G
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NRVBB1645T4G

更新时间： 2024-11-02 11:01:31
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 整流二极管
页数 文件大小 规格书
5页 107K
描述
Schottky Barrier Rectifier, 16 A, 45 V

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NRVBB1645T4G 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：Active
包装说明：D2PAK-3/2Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99Factory Lead Time：7 weeks
风险等级：5.58应用：POWER
外壳连接：CATHODE配置：SINGLE
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：0.63 VJESD-30 代码：R-PSSO-G2
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
最大非重复峰值正向电流：150 A元件数量：1
相数：1端子数量：2
最高工作温度：175 °C最低工作温度：-65 °C
最大输出电流：16 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
参考标准：AEC-Q101最大重复峰值反向电压：45 V
最大反向电流：200 µA表面贴装：YES
技术：SCHOTTKY端子面层：Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子位置：SINGLE
Base Number Matches：1

NRVBB1645T4G 数据手册

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MBR1635, MBR1645,  
MBRB1645  
MBR1645 is a Preferred Device  
SWITCHMODEE  
Power Rectifiers  
16 A, 35 and 45 V  
These state−of−the−art devices use the Schottky Barrier principle  
http://onsemi.com  
with a platinum barrier metal.  
MARKING  
DIAGRAMS  
Features  
4
• Guard−ring for Stress Protection  
• Low Forward Voltage  
• 175°C Operating Junction Temperature  
• Pb−Free Packages are Available  
TO−220AC  
CASE 221B  
PLASTIC  
AYWWG  
B16x5  
KA  
Mechanical Characteristics:  
• Case: Epoxy, Molded  
1
3
1, 4  
3
• Weight: 1.9 Grams for TO−220  
2
1.7 Grams for D PAK  
A
Y
= Assembly Location  
= Year  
= Work Week  
• Finish: All External Surfaces Corrosion Resistant and Terminal  
Leads are Readily Solderable  
• Lead Temperature for Soldering Purposes:  
260°C Max. for 10 Seconds  
WW  
B16x5 = Device Code  
x
KA  
G
= 3 or 4  
= Diode Polarity  
= Pb−Free Package  
MAXIMUM RATINGS  
Rating  
Symbol  
Value  
Unit  
2
D PAK  
B1645G  
AYWW  
Peak Repetitive Reverse Voltage  
Working Peak Reverse Voltage  
DC Blocking Voltage  
V
V
V
RRM  
RWM  
4
CASE 418B  
STYLE 3  
MBR1635  
MBR1645  
MBRB1645  
V
R
35  
45  
45  
1
3
1
4
3
Average Rectified Forward Current Delay  
(Rated V , T = 163°C) Total Device  
I
A
A
F(AV)  
16  
32  
R
C
B1645 = Device Code  
Peak Repetitive Forward Current, Per  
Leg  
(Rated V , Square Wave,  
I
FRM  
A
Y
WW  
G
= Assembly Location  
= Year  
R
= Work Week  
= Pb−Free Package  
20 kHz, T = 157°C) Total Device  
C
Non−Repetitive Peak Surge Current  
(Surge Applied at Rated Load Conditions  
Halfwave, Single Phase, 60 Hz)  
I
150  
1.0  
A
A
FSM  
ORDERING INFORMATION  
Device  
Package  
Shipping  
Peak Repetitive Reverse Surge Current  
(2.0 ms, 1.0 kHz)  
I
RRM  
MBR1635  
TO−220  
50 Units / Rail  
50 Units / Rail  
MBR1635G  
TO−220  
Storage Temperature Range  
T
−65 to +175  
−65 to +175  
10,000  
°C  
°C  
stg  
(Pb−Free)  
Operating Junction Temperature (Note 1)  
T
J
MBR1645  
TO−220  
50 Units / Rail  
50 Units / Rail  
Voltage Rate of Change (Rated V )  
dv/dt  
V/ms  
R
MBR1645G  
TO−220  
Stresses exceeding Maximum Ratings may damage the device. Maximum  
Ratings are stress ratings only. Functional operation above the Recommended  
Operating Conditions is not implied. Extended exposure to stresses above the  
Recommended Operating Conditions may affect device reliability.  
(Pb−Free)  
2
MBRB1645T4G  
D PAK  
800 Units / Rail  
(Pb−Free)  
1. The heat generated must be less than the thermal conductivity from  
Junction−to−Ambient: dP /dT < 1/R .  
q
JA  
D
J
Preferred devices are recommended choices for future use  
and best overall value.  
©
Semiconductor Components Industries, LLC, 2008  
1
Publication Order Number:  
June, 2008 − Rev. 11  
MBR1635/D  
 
12345

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NRVBB1645T4G 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
MBRB1645T4G ONSEMI

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