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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| NPTB00025 | TE |
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Gallium Nitride 28V, 25W RF Power Transistor |
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| NPTB00025_15 | TE |
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25W RF Power Transistor |
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| NPTB00025AB | TE |
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Next generation high power RF semiconductor technology |
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| NPTB00025B | TE |
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Next generation high power RF semiconductor technology |
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| NPTB00025B | MACOM |
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GaN Amplifier 28 V, 25 W, DC - 4 GHz |
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| NPTB00050 | TE |
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Gallium Nitride 28V, 50W RF Power Transistor |
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| NPTB00050_15 | TE |
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50W RF Power Transistor |
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| NPTC021KFXD-RC | ETC |
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CONN HEADER .100" 2POS |
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| NPTC022KFMP-RC | ETC |
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CONN HEADER .100" 4POS |
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| NPTC022KFMS-RC | ETC |
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CONN FEMALE 4POS DL .1" TIN SMD |
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解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
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