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NP20P06SLG-E2-AY

更新时间： 2024-02-11 15:20:19

品牌	Logo	应用领域
日电电子 - NEC		开关脉冲晶体管
页数	文件大小	规格书
7页	194K
描述
Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 60V, 0.064ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA, LEAD FREE, MP-3ZK, TO-252, 3 PIN

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NP20P06SLG-E2-AY 技术参数

生命周期：	Transferred	包装说明：	LEAD FREE, MP-3ZK, TO-252, 3 PIN
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.71
雪崩能效等级（Eas）：	28 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	60 V
最大漏极电流 (ID)：	20 A	最大漏源导通电阻：	0.064 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-252AA
JESD-30 代码：	R-PSSO-G2	JESD-609代码：	e3
元件数量：	1	端子数量：	2
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	P-CHANNEL	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	60 A
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子面层：	PURE TIN	端子形式：	GULL WING
端子位置：	SINGLE	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

NP20P06SLG-E2-AY 数据手册

DATA SHEET

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

NP20P06SLG

SWITCHING

P-CHANNEL POWER MOSFET

DESCRIPTION

The NP20P06SLG is P-channel MOS Field Effect Transistor designed for high current switching applications.

ORDERING INFORMATION

PART NUMBER

LEAD PLATING

Pure Sn (Tin)

PACKING

PACKAGE

NP20P06SLG-E1-AY ^Note

NP20P06SLG-E2-AY ^Note

Tape 2500 p/reel

TO-252 (MP-3ZK)

Note Pb-free (This product does not contain Pb in external electrode.)

FEATURES

(TO-252)

• Super low on-state resistance

R^DS(on)1= 48 mΩ MAX. (VGS = −10 V, ID = −10 A)

R^DS(on)2= 64 mΩ MAX. (VGS = −4.5 V, ID = −10 A)

• Low input capacitance

C^iss= 1650 pF TYP.

• Built-in gate protection diode

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25°C)

Drain to Source Voltage (VGS = 0 V)

Gate to Source Voltage (V^DS= 0 V)

Drain Current (DC) (T^C= 25°C)

Drain Current (pulse) ^Note1

VDSS

VGSS

ID(DC)

I^D(pulse)

PT1

−60

m20

m60

Total Power Dissipation (T^C= 25°C)

Total Power Dissipation (T^A= 25°C)

Channel Temperature

°C

PT2

1.2

T^ch

175

Storage Temperature

T^stg

−55 to +175

Single Avalanche Current ^Note2

Single Avalanche Energy ^Note2

I^AS

E^AS

Notes 1. PW ≤ 10 μs, Duty Cycle ≤ 1%

2. Starting T^ch= 25°C, VDD = −30 V, RG = 25 Ω, VGS = −20 → 0 V

THERMAL RESISTANCE

Channel to Case Thermal Resistance

Channel to Ambient Thermal Resistance

Rth(ch-C)

3.9

°C/W

R^th(ch-A)

125

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Not all products and/or types are available in every country. Please check with an NEC Electronics

sales representative for availability and additional information.

Document No. D19076EJ1V0DS00 (1st edition)

Date Published December 2007 NS

Printed in Japan

2007

12 3 4 5 6 7

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
NP20P06SLG-E2-AYNote	RENESAS	获取价格	SWITCHING P-CHANNEL POWER MOSFET
NP20P06YLG	RENESAS	获取价格	Power MOSFETs for Automotive
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NP2100SBMCT3G	ONSEMI	获取价格	80A, Ultra Low Capacitance TSPD
NP2100SBT3G	ONSEMI	获取价格	Thyristor Surge Protectors High Voltage Bidirectional
NP2100SCMCT3G	ONSEMI	获取价格	100A, Ultra Low Capacitance TSPD
NP2100SCT3G	ONSEMI	获取价格	Thyristor Surge Protectors High Voltage Bidirectional
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NP210-320-0100-CC0	YAMAICHI	获取价格	IC Socket, PGA320, 320 Contact(s), 2.54mm Term Pitch, 0.05inch Row Spacing, Solder

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