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NP110N04PUK-E1-AY

更新时间: 2024-01-30 08:58:59
品牌 Logo 应用领域
瑞萨 - RENESAS /
页数 文件大小 规格书
8页 113K
描述
MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

NP110N04PUK-E1-AY 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Active
零件包装代码:MP-25ZP包装说明:,
针数:3Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99风险等级:5.72
配置:Single最大漏极电流 (Abs) (ID):110 A
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR最高工作温度:175 °C
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED极性/信道类型:N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs):348 W子类别:FET General Purpose Power
表面贴装:YES处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
Base Number Matches:1

NP110N04PUK-E1-AY 数据手册

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Revision History  
NP110N04PUK Data Sheet  
Description  
Summary  
Rev.  
1.00  
Date  
Page  
Nov 17, 2011  
First Edition Issued  
All trademarks and registered trademarks are the property of their respective owners.  
C - 1  

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