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NP110N04PUK-E1-AY

更新时间： 2024-01-20 20:31:36

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瑞萨 - RENESAS		/
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描述
MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

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NP110N04PUK-E1-AY 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
零件包装代码：	MP-25ZP	包装说明：	,
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.72
配置：	Single	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	110 A
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	最高工作温度：	175 °C
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	348 W	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	YES	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
Base Number Matches：	1

NP110N04PUK-E1-AY 数据手册

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NP110N04PUK

Electrical Characteristics (T_A= 25°C)

Item

Zero Gate Voltage Drain Current

Gate Leakage Current

Gate to Source Threshold Voltage

Forward Transfer Admittance *¹

Drain to Source On-state Resistance *¹

Input Capacitance

Symbol

I_DSS

I_GSS

V_GS(th)

| y_fs|

R_DS(on)

C_iss

MIN.

—

2.0

—

TYP.

—

MAX.

Unit

A

Test Conditions

V_DS= 40 V, V_GS= 0 V

V_GS= 20 V, V_DS= 0 V

V_DS= V_GS, I_D= 250 A

V_DS= 5 V, I_D= 55 A

V_GS= 10 V, I_D= 55 A

V_DS= 25 V

—

100

4.0

—

3.0

120

1.15

10500

1600

540

1.40

15750

2400

980

m

V_GS= 0 V

Output Capacitance

C_oss

C_rss

t_d(on)

t_r

f = 1 MHz

Reverse Transfer Capacitance

Turn-on Delay Time

V_DD= 20 V, I_D= 55 A

_GS= 10 V

Rise Time

R_G= 0 

Turn-off Delay Time

t_d(off)

t_f

140

280

Fall Time

Total Gate Charge

Q_G

198

297

—

V_DD= 32 V

_GS= 10 V

Gate to Source Charge

Gate to Drain Charge

Body Diode Forward Voltage *¹

Reverse Recovery Time

Reverse Recovery Charge

Note: *1 Pulsed test

Q_GS

Q_GD

V_F(S-D)

t_rr

I_D= 110 A

—

0.9

1.5

—

I_F= 110 A, V_GS= 0 V

di/dt = 100 A/s

Q_rr

130

—

TEST CIRCUIT 1 AVALANCHE CAPABILITY

TEST CIRCUIT 2 SWITCHING TIME

D.U.T.

V_GS

R_L

_G= 25 Ω

90%

V_GS

Wave Form

V_GS

10%

R_G

PG.

50 Ω

V_DD

V_GS= 20 → 0 V

V_DS

90%

V_DS

V_GS

BV_DSS

10% 10%

V_DS

Wave Form

I_AS

I_D

V_DS

t_d(on)

t_r

t_d(off)

t_f

V_DD

t_on

t_off

τ = 1 μs

Duty Cycle ≤ 1%

Starting T_ch

TEST CIRCUIT 3 GATE CHARGE

D.U.T.

I_G= 2 mA

R_L

PG.

50 Ω

V_DD

R07DS0570EJ0100 Rev.1.00

Nov 17, 2011

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