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NP110N04PUK-E1-AY

更新时间： 2024-01-19 18:48:46
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瑞萨 - RENESAS /
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8页 113K
描述
MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

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NP110N04PUK-E1-AY 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
零件包装代码：MP-25ZP包装说明：,
针数：3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.72
配置：Single最大漏极电流 (Abs) (ID)：110 A
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR最高工作温度：175 °C
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：348 W子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：YES处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
Base Number Matches：1

NP110N04PUK-E1-AY 数据手册

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NP110N04PUK  
DRAIN TO SOURCE ON-STATE RESISTANCE vs.  
CHANNEL TEMPERATURE  
CAPACITANCE vs. DRAIN TO SOURCE VOLTAGE  
100000  
3
Ciss  
2
1
0
10000  
1000  
100  
Coss  
Crss  
VGS = 10 V  
D = 55 A  
Pulsed  
I
VGS = 0 V  
f = 1 MHz  
–100 –50  
0
50  
100  
150  
200  
0.1  
1
10  
100  
Tch - Channel Temperature - °C  
VDS - Drain to Source Voltage - V  
SWITCHING CHARACTERISTICS  
DYNAMIC INPUT/OUTPUT CHARACTERISTICS  
10000  
1000  
100  
10  
35  
30  
25  
20  
15  
10  
5
14  
12  
10  
8
VDD = 32 V  
20 V  
8 V  
td(off)  
VGS  
6
td(on)  
tr  
tf  
4
VDD = 20 V  
VGS = 10 V  
2
R
G = 0 Ω  
ID = 110 A  
VDS  
1
0.1  
0
0
1
10  
100  
1000  
0
20 40 60 80 100 120 140 160 180 200  
QG- Gate Charge - nC  
ID - Drain Current - A  
SOURCE TO DRAIN DIODE FORWARD VOLTAGE  
REVERSE RECOVERY TIME vs.  
DRAIN CURRENT  
1000  
100  
10  
1000  
100  
10  
VGS = 10 V  
VGS = 0 V  
1
di/dt = 100 A/μs  
GS = 0 V  
V
Pulsed  
1.0  
VF(S-D) - Source to Drain Voltage - V  
0.1  
0
0.2  
0.4  
0.6  
0.8  
1.2  
0.1  
1
10  
100  
1000  
IF - Drain Current - A  
R07DS0570EJ0100 Rev.1.00  
Nov 17, 2011  
Page 5 of 6  
12345678

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