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NP110N055PUK-E1-AY

更新时间： 2024-01-13 07:55:46

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描述
MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

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NP110N055PUK-E1-AY 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
零件包装代码：	MP-25ZP	包装说明：	,
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.72
配置：	Single	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	110 A
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	最高工作温度：	175 °C
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	348 W	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	YES	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
Base Number Matches：	1

NP110N055PUK-E1-AY 数据手册

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Preliminary Data Sheet

NP110N055PUK

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

Description

R07DS0591EJ0100

Rev.1.00

Dec 12, 2011

The NP110N055PUK is N-channel MOS Field Effect Transistor designed for high current switching applications.

Features



Super low on-state resistance

_DS(on)= 1.75 m MAX. (V_GS= 10 V, I_D= 55 A)



Low C_iss: C_iss= 10700 pF TYP. (V_DS= 25 V)

Designed for automotive application and AEC-Q101 qualified

Ordering Information

Part No.

NP110N055PUK-E1-AY ^*

NP110N055PUK-E2-AY ^*

Lead Plating

Packing

Taping (E1 type)

Taping (E2 type)

Package

Pure Sn (Tin)

Tape 800 p/reel

TO-263 (MP-25ZP)

Note: *1 Pb-free (This product does not contain Pb in the external electrode)

Absolute Maximum Ratings (T_A= 25°C)

Item

Symbol

V_DSS

V_GSS

I_D(DC)

I_D(pulse)

P_T1

Ratings

Unit

Drain to Source Voltage (V_GS= 0 V)

Gate to Source Voltage (V_DS= 0 V)

Drain Current (DC) (T_C= 25°C)

20

110

440

348

Drain Current (pulse) ^*

Total Power Dissipation (T_C= 25°C)

Total Power Dissipation (T_A= 25°C)

Channel Temperature

°C

P_T2

1.8

T_ch

175

Storage Temperature

Repetitive Avalanche Current ^*

Repetitive Avalanche Energy ^*

T_stg

–55 to 175

I_AR

E_AR

435

Notes: *1 T_C= 25°C, P_W 10 s, Duty Cycle  1%

*2 R_G= 25 , V_GS= 20  0 V

Thermal Resistance

Channel to Case Thermal Resistance

Channel to Ambient Thermal Resistance

R_th(ch-C)

R_th(ch-A)

0.43

83.3

°C/W

R07DS0591EJ0100 Rev.1.00

Dec 12, 2011

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