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NNCD3.6F PDF预览

NNCD3.6F

更新时间： 2024-11-06 22:40:07
品牌 Logo 应用领域
日电电子 - NEC 瞬态抑制器二极管光电二极管局域网
页数 文件大小 规格书
8页 42K
描述
ELECTROSTATIC DISCHARGE NOISE CLIPPING DIODES DOUBLE TYPE, ANODE COMMON 3PIN MINI MOLD

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NNCD3.6F 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Transferred
零件包装代码：SC-59包装说明：R-PDSO-G3
针数：3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.50
风险等级：5.49Is Samacsys：N
最大击穿电压：3.8 V最小击穿电压：3.4 V
配置：COMMON ANODE, 2 ELEMENTS二极管元件材料：SILICON
二极管类型：TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODEJESD-30 代码：R-PDSO-G3
JESD-609代码：e0最大非重复峰值反向功率耗散：100 W
元件数量：2端子数量：3
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性：UNIDIRECTIONAL最大功率耗散：0.2 W
认证状态：Not Qualified表面贴装：YES
技术：AVALANCHE端子面层：TIN LEAD
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIEDBase Number Matches：1

NNCD3.6F 数据手册

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DATA SHEET  
E.S.D NOISE CLIPPING DIODES  
NNCD3.3F to NNCD12F  
ELECTROSTATIC DISCHARGE NOISE CLIPPING DIODES  
(DOUBLE TYPE, ANODE COMMON)  
3PIN MINI MOLD  
This product series is a diode developed for E.S.D (Electrostatic  
Discharge) noise protection. Based on the IEC1000-4-2 test on  
electromagnetic interference (EMI), the diode assures an endur-  
ance of no less than 30 kV, thus making itself most suitable for  
external interface circuit protection.  
PACKAGE DIMENSIONS  
(in millimeters)  
2.8 ± 0.2  
+0.1  
1.5  
0.65  
–0.15  
Type NNCD3.3F to NNCD12F Series include two elements in  
3PIN Mini Mold Package having allowable power dissipation of  
200 mW.  
2
1
3
FEATURES  
•
Based on the electrostatic discharge immunity test (IEC1000-4-  
2), the product assures the minimum endurance of 30 kV.  
Based on the reference supply of the set, the product achieves  
a series over a wide range (15 product name lined up).  
Marking  
•
APPLICATIONS  
•
•
External interface circuit E.S.D protection.  
PIN CONNECTION  
1. K1: Cathode 1  
2. K2: Cathode 2  
Circuits for Waveform clipper, Surge absorber.  
SC-59 (EIAJ)  
3. A : Anode (common)  
K2  
2
MAXIMUM RATINGS (TA = 25 °C)  
A
Power Dissipation  
P
200 mW  
(Total)  
3
K1  
1
Surge Reverse Power  
Junction Temperature  
Storage Temperature  
PRSM  
Tj  
100 W (tT = 10 µs 1 pulse) Fig. 6  
150 °C  
Tstg  
–55 °C to +150 °C  
Document No. D11774EJ2V0DS00 (2nd edition)  
Date Published December 1996 N  
Printed in Japan  
1996  
©
12345678

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