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NNCD3.6G PDF预览

NNCD3.6G

更新时间： 2024-01-27 05:00:25
品牌 Logo 应用领域
日电电子 - NEC 瞬态抑制器二极管光电二极管局域网
页数 文件大小 规格书
8页 41K
描述
ELECTROSTATIC DISCHARGE NOISE CLIPPING DIODES QUARTO TYPE : COMMON ANODE 5 PIN MINI MOLD

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NNCD3.6G 技术参数

生命周期：Transferred零件包装代码：SC-74A
包装说明：R-PDSO-G5针数：5
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.50风险等级：5.51
最大击穿电压：3.8 V最小击穿电压：3.4 V
配置：COMMON ANODE, 4 ELEMENTS二极管元件材料：SILICON
二极管类型：TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODEJESD-30 代码：R-PDSO-G5
最大非重复峰值反向功率耗散：85 W元件数量：4
端子数量：5封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性：UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散：0.2 W认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES技术：AVALANCHE
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIEDBase Number Matches：1

NNCD3.6G 数据手册

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DATA SHEET  
E.S.D NOISE CLIPPING DIODES  
NNCD3.3G to NNCD7.5G, NNCD27G  
ELECTROSTATIC DISCHARGE NOISE CLIPPING DIODES  
(QUARTO TYPE : COMMON ANODE)  
5 PIN MINI MOLD  
This product series is a diode developed for E.S.D (Electrostatic  
Discharge) noise protection. Based on the IEC1000-4-2 test on  
electromagnetic interference (EMI), the diode assures an endur-  
ance of no less than 30 KV, thus making itself most suitable for  
external interface circuit protection.  
PACKAGE DIMENSIONS  
(in millimeters)  
2.8 ± 0.2  
+0.1  
1.5  
0.65  
–0.15  
With four elements mounted in the 5 PIN Mini Mold Package, the  
product can cope with high density and automatic packaging.  
1
2
3
5
4
FEATURES  
•
•
•
Based on the electrostatic discharge immunity test (IEC1000-4-  
2), the product assures the minimum endurance of 30 KV.  
Based on the reference supply of the set, the product achieves  
a series over a wide range (11 product name lined up).  
With 4 elements mounted (common anode) mounted in the 5 PIN  
MINI MOLD package, the product can achieve a high density and  
automatic packaging.  
APPLICATIONS  
•
•
External interface circuit E.S.D protection.  
Circuits for Waveform clipper, Surge absorber.  
(5 PIN mini MOLD)  
(SC-74A)  
MAXIMUM RATINGS (TA = 25 ˚C)  
PIN CONNECTION  
Power Dissipation  
P
200 mW  
(Total)  
Fig. 5  
Surge Reverse Power  
Junction Temperature  
Storage Temperature  
PRSM  
Tj  
85 W (t = 10 µs 1 pulse)  
150 ˚C  
5
4
Tstg  
–55 ˚C to +150 ˚C  
1
2
3
4
5
:
:
:
:
:
K1 Cathode 1  
A
Anode (common)  
K2 Cathode 2  
K3 Cathode 3  
K4 Cathode 4  
1
2
3
Document No. D11645EJ1V1DS00 (1st edition)  
Date Published February 1998 N CP(K)  
Printed in Japan  
1996
©
12345678

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与NNCD3.6G相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
NNCD3.6G-T2 NEC

获取价格

 		Trans Voltage Suppressor Diode, Unidirectional, 4 Element, Silicon, MINIMOLD, SC-74A, 5 PI
NNCD3.9A NEC

获取价格

 		ELECTROSTATIC DISCHARGE NOISE CLIPPING DIODES 400 mW TYPE
NNCD3.9A-AZ RENESAS

获取价格

 		100W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-34
NNCD3.9B NEC

获取价格

 		ELECTROSTATIC DISCHARGE NOISE CLIPPING DIODES 500 mW TYPE
NNCD3.9B-AZ RENESAS

获取价格

 		100W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-35
NNCD3.9C NEC

获取价格

 		ELECTROSTATIC DISCHARGE NOISE CLIPPING DIODES 150 mW TYPE
NNCD3.9C-A RENESAS

获取价格

 		NNCD3.9C-A
NNCD3.9C-T1 NEC

获取价格

 		85W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, ULTRA SUPER MINIMOLD PACKAGE-2
NNCD3.9C-T2 NEC

获取价格

 		Trans Voltage Suppressor Diode, Unidirectional, 1 Element, Silicon, ULTRA SUPER MINIMOLD P
NNCD3.9C-T2-A RENESAS

获取价格

 		TRANSIENT SUPPRESSOR DIODE,SINGLE,UNIDIRECTIONAL,UMD2VAR

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