NNCD3.6G

更新时间： 2024-11-08 22:40:07

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日电电子 - NEC		瞬态抑制器二极管光电二极管局域网
页数	文件大小	规格书
8页	41K
描述
ELECTROSTATIC DISCHARGE NOISE CLIPPING DIODES QUARTO TYPE : COMMON ANODE 5 PIN MINI MOLD

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NNCD3.6G 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	SC-74A	包装说明：	R-PDSO-G5
针数：	5	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.50
风险等级：	5.51	最大击穿电压：	3.8 V
最小击穿电压：	3.4 V	配置：	COMMON ANODE, 4 ELEMENTS
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JESD-30 代码：	R-PDSO-G5	JESD-609代码：	e0
最大非重复峰值反向功率耗散：	85 W	元件数量：	4
端子数量：	5	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性：	UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散：	0.2 W	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	技术：	AVALANCHE
端子面层：	TIN LEAD	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
Base Number Matches：	1

NNCD3.6G 数据手册

DATA SHEET

E.S.D NOISE CLIPPING DIODES

NNCD3.3G to NNCD7.5G, NNCD27G

ELECTROSTATIC DISCHARGE NOISE CLIPPING DIODES

(QUARTO TYPE : COMMON ANODE)

5 PIN MINI MOLD

This product series is a diode developed for E.S.D (Electrostatic

Discharge) noise protection. Based on the IEC1000-4-2 test on

electromagnetic interference (EMI), the diode assures an endur-

ance of no less than 30 KV, thus making itself most suitable for

external interface circuit protection.

PACKAGE DIMENSIONS

(in millimeters)

2.8 ± 0.2

+0.1

1.5

0.65

–0.15

With four elements mounted in the 5 PIN Mini Mold Package, the

product can cope with high density and automatic packaging.

FEATURES

•

Based on the electrostatic discharge immunity test (IEC1000-4-

2), the product assures the minimum endurance of 30 KV.

Based on the reference supply of the set, the product achieves

a series over a wide range (11 product name lined up).

With 4 elements mounted (common anode) mounted in the 5 PIN

MINI MOLD package, the product can achieve a high density and

automatic packaging.

APPLICATIONS

•

External interface circuit E.S.D protection.

Circuits for Waveform clipper, Surge absorber.

(5 PIN mini MOLD)

(SC-74A)

MAXIMUM RATINGS (TA = 25 ˚C)

PIN CONNECTION

Power Dissipation

200 mW

(Total)

Fig. 5

Surge Reverse Power

Junction Temperature

Storage Temperature

P^RSM

85 W (t = 10 µs 1 pulse)

150 ˚C

Tstg

–55 ˚C to +150 ˚C

K1 Cathode 1

Anode (common)

K2 Cathode 2

K3 Cathode 3

K4 Cathode 4

Document No. D11645EJ1V1DS00 (1st edition)

Date Published February 1998 N CP(K)

Printed in Japan

11999965

12 3 4 5 6 7 8

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
NNCD3.6G-T2	NEC	获取价格	Trans Voltage Suppressor Diode, Unidirectional, 4 Element, Silicon, MINIMOLD, SC-74A, 5 PI
NNCD3.9A	NEC	获取价格	ELECTROSTATIC DISCHARGE NOISE CLIPPING DIODES 400 mW TYPE
NNCD3.9A-AZ	RENESAS	获取价格	100W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-34
NNCD3.9B	NEC	获取价格	ELECTROSTATIC DISCHARGE NOISE CLIPPING DIODES 500 mW TYPE
NNCD3.9B-AZ	RENESAS	获取价格	100W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-35
NNCD3.9C	NEC	获取价格	ELECTROSTATIC DISCHARGE NOISE CLIPPING DIODES 150 mW TYPE
NNCD3.9C-A	RENESAS	获取价格	NNCD3.9C-A
NNCD3.9C-T1	NEC	获取价格	85W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, ULTRA SUPER MINIMOLD PACKAGE-2
NNCD3.9C-T2	NEC	获取价格	Trans Voltage Suppressor Diode, Unidirectional, 1 Element, Silicon, ULTRA SUPER MINIMOLD P
NNCD3.9C-T2-A	RENESAS	获取价格	TRANSIENT SUPPRESSOR DIODE,SINGLE,UNIDIRECTIONAL,UMD2VAR

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