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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | QFJ |
| 包装说明： | QCCJ, LDCC32,.5X.6 | 针数： | 32 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8542.32.00.51 | 风险等级： | 5.92 |
| Is Samacsys： | N | 最大时钟频率 (fCLK)： | 4 MHz |
| 耐久性： | 100000 Write/Erase Cycles | JESD-30 代码： | S-PQCC-J32 |
| JESD-609代码： | e0 | 长度： | 13.97 mm |
| 内存密度： | 8388608 bit | 内存集成电路类型： | FLASH |
| 内存宽度： | 1 | 功能数量： | 1 |
| 端子数量： | 32 | 字数： | 8388608 words |
| 字数代码： | 8000000 | 工作模式： | SYNCHRONOUS |
| 最高工作温度： | 70 °C | 最低工作温度： | |
| 组织： | 8MX1 | 输出特性： | 3-STATE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装代码： | QCCJ |
| 封装等效代码： | LDCC32,.5X.6 | 封装形状： | SQUARE |
| 封装形式： | CHIP CARRIER | 并行/串行： | SERIAL |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 电源： | 5 V |
| 编程电压： | 5 V | 认证状态： | Not Qualified |
| 座面最大高度： | 3.55 mm | 串行总线类型： | MICROWIRE |
| 最大待机电流： | 0.00005 A | 子类别： | Flash Memories |
| 最大压摆率： | 0.02 mA | 最大供电电压 (Vsup)： | 5.5 V |
| 最小供电电压 (Vsup)： | 4.5 V | 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V |
| 表面贴装： | YES | 技术： | CMOS |
| 温度等级： | COMMERCIAL | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | J BEND | 端子节距： | 1.27 mm |
| 端子位置： | QUAD | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 类型： | NOR TYPE | 宽度： | 11.43 mm |
| 写保护： | SOFTWARE | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| NM29A080EV | NSC | 4-Mbit/8-Mbit CMOS Serial FLASH E2PROM |
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| NM29A080M | NSC | 4-Mbit/8-Mbit CMOS Serial FLASH E2PROM |
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| NM29A080V | NSC | 4-Mbit/8-Mbit CMOS Serial FLASH E2PROM |
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| NM29N16 | NSC | 16 MBit (2M x 8 Bit) CMOS NAND FLASH E2PROM |
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| NM29N16ER | ETC | NAND Flash EEPROM |
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| NM29N16ERX | TI | 2MX8 FLASH 5V PROM, 48ns, PDSO40, 0.400 INCH, EIAJ, REVERSE, TSOP2-44/40 |
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