Datasheet > NM29N16S

NM29N16S

更新时间： 2023-12-18 00:00:00

品牌	Logo	应用领域
美国国家半导体 - NSC		可编程只读存储器光电二极管内存集成电路
页数	文件大小	规格书
32页	1435K
描述
IC 2M X 8 FLASH 5V PROM, 48 ns, PDSO40, 0.400 INCH, EIAJ,TSOP2-44/40, Programmable ROM

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

NM29N16S 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TSOP2
包装说明：	TSOP2, TSOP40/44,.46,32	针数：	44
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.51	风险等级：	5.91
最长访问时间：	48 ns	其他特性：	100K WRITE/ERASE ENDURANCE MIN.
命令用户界面：	YES	数据轮询：	NO
耐久性：	100000 Write/Erase Cycles	JESD-30 代码：	R-PDSO-G40
JESD-609代码：	e0	长度：	18.41 mm
内存密度：	16777216 bit	内存集成电路类型：	FLASH
内存宽度：	8	功能数量：	1
部门数/规模：	512	端子数量：	40
字数：	2097152 words	字数代码：	2000000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	70 °C
最低工作温度：		组织：	2MX8
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	TSOP2	封装等效代码：	TSOP40/44,.46,32
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
页面大小：	256 words	并行/串行：	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	电源：	5 V
编程电压：	5 V	认证状态：	Not Qualified
就绪/忙碌：	YES	座面最大高度：	1.2 mm
部门规模：	4K	最大待机电流：	0.0001 A
子类别：	Flash Memories	最大压摆率：	0.07 mA
最大供电电压 (Vsup)：	5.25 V	最小供电电压 (Vsup)：	4.75 V
标称供电电压 (Vsup)：	5 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	COMMERCIAL
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	GULL WING
端子节距：	0.8 mm	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	切换位：	NO
宽度：	10.16 mm

NM29N16S 数据手册

12 3 4 5 6 7...32

中文翻译

下载PDF

与NM29N16S相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
NM2SOL3	ETC	获取价格	NM1SOL3
NM2SOL3R	ETC	获取价格	NM1SOL3
NM3484KSLAXA7	NANYA	获取价格	MCP Specification
NM3484KSLAXA7-3D	NANYA	获取价格	MCP Specification
NM3484KSLAXA73DNA	NANYA	获取价格	MCP Specification
NM3488KSLAXA7	NANYA	获取价格	MCP Specification
NM3488KSLAXA7-3D	NANYA	获取价格	MCP Specification
NM3488KSLAXA73DNA	NANYA	获取价格	MCP Specification
NM34C02	FAIRCHILD	获取价格	2K-Bit Standard 2-Wire Bus Interface
NM34C02EM8	FAIRCHILD	获取价格	2K-Bit Standard 2-Wire Bus Interface